电子说
在高速数据传输和处理的电子世界里,低电压差分信号(LVDS)技术凭借其低功耗、低噪声、高抗干扰能力和高开关速度等优点,成为了许多工程师的首选。Texas Instruments的SN65LVDS108作为一款8端口LVDS中继器,更是为解决高速数据传输中的诸多问题提供了出色的解决方案。下面将深入剖析其特性、应用以及相关设计要点。
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该器件由一个线路接收器和八个线路驱动器构成,采用DBT封装,被配置为8端口LVDS中继器。这种结构使得它能够将接收到的单路LVDS信号精确复制并分配到八个输出端口,为系统时钟或数据分布树的实现提供了便利。
线路接收器和线路驱动器均符合或超过ANSI EIA/TIA - 644标准,典型数据信号速率可达400 Mbps,时钟频率也能达到400 MHz。这意味着它能够在高速数据传输环境中稳定工作,满足大部分应用的需求。
其使能逻辑允许对每个驱动器输出进行单独控制,同时还提供了一个全局输出使能端。这一特性在实际应用中非常实用,例如在需要关闭某些信号路径以防止辐射或进行故障排查时,工程师可以方便地进行控制。
采用低电压差分信号,典型输出电压为350 mV,负载为100Ω。它与LVDS、PECL、LVPECL、LVTTL、LVCMOS、GTL、BTL、CTT、SSTL或HSTL等输出具有电气兼容性,只需外部配置适当的终端网络即可。此外,输出偏移小于300 ps,传播延迟时间小于4.7 ns,器件间偏移小于1.5 ns,这些优秀的电气特性确保了信号的精确传输和同步。
在200 MHz的工作频率下,当8个通道全部启用时,总功耗通常小于330 mW,具有较低的功耗。同时,其总线引脚的静电放电(ESD)保护超过12 kV,并且采用薄型收缩小外形封装(TSSOP),引脚间距为20 mil,方便进行电路板布局和焊接。
在差分信号应用中,当信号对上没有差分电压时系统的响应是一个常见问题。SN65LVDS108的LVDS接收器具有独特的故障安全功能。当出现开路情况(如驱动器处于高阻抗状态或电缆断开)时,接收器会通过300 kΩ电阻将信号对的每条线路拉至接近特定电平,并使用输入电压阈值约为2.3 V的与门来检测这种情况,强制输出为高电平,确保系统在异常情况下仍能保持稳定。不过需要注意的是,只有在特定条件下,当差分输入电压幅度小于100 mV时,接收器的输出才有效。此外,终端电阻的连接方式对故障安全功能有影响,必须按照正确的方式连接,否则其他终端电路可能会引入接地直流电流,从而影响接收器的上拉电流和故障安全功能。
在时钟和数据信号的分配过程中,SN65LVDS108解决了许多常见问题。它将信号的缓冲和分割集成在同一硅芯片上,最大限度地减少了信号副本之间时序关系的失真。与将缓冲和分割功能分别放在不同器件中相比,这种单芯片实现方式能够显著降低信号之间不受控制的时序偏移。同时,LVDS信号技术在输入和输出端的应用,提供了比单端I/O技术更出色的共模和抗噪声能力,尤其适用于长距离、高速率的信号传输,并且功耗更低。此外,每个输出的使能输入可以用于开启或关闭任何信号路径,这对于防止未端接信号线上的信号辐射以及在系统中使用冗余路径提高可靠性非常重要。
SN65LVDS108的LVDS接收器还可以接收各种其他类型的逻辑信号。文档中展示了针对SSTL、HSTL、CTT、GTL、BTL、LVPECL、PECL、CMOS和TTL等不同逻辑信号的终端电路,工程师可以根据实际需求进行选择和设计,实现不同电平信号的转换和兼容。
在使用SN65LVDS108时,需要注意其绝对最大额定值。例如,电源电压范围为 - 0.5 V至4 V,输入电压范围根据不同引脚有所不同,使能输入为 - 0.5 V至6 V,A、B、Y或Z引脚为 - 0.5 V至4 V,静电放电等级为Class 3(A: 12 kV,B: 500 V),存储温度范围为 - 65°C至150°C,引线温度在距离外壳1.6 mm(1/16英寸)处10秒内不得超过260°C。超过这些极限参数可能会对器件造成永久性损坏。
为了确保器件的正常性能,建议在以下条件下工作:电源电压为3 V至3.6 V,典型值为3.3 V;高电平输入电压不低于2 V,低电平输入电压不高于0.8 V;任何总线端子的电压(单独或共模)在0 V至Vcc - 0.8 V之间;工作环境温度在 - 40°C至85°C之间。
其电气特性涵盖了许多方面,如正、负向差分输入电压阈值、差分输出电压幅度、稳态共模输出电压及其变化、电源电流、输入电流、短路输出电流、高阻抗输出电流、电源关闭时的输入和输出电流、输入和输出电容等。这些参数详细描述了器件在不同工作状态下的电气性能,工程师在设计电路时需要根据具体需求进行参考和优化。
开关特性包括传播延迟时间(低到高、高到低、高阻抗到高、高阻抗到低、高到高阻抗、低到高阻抗)、差分输出信号的上升和下降时间、脉冲偏移、输出偏移和器件间偏移等。这些参数对于确保信号在传输过程中的时序准确性至关重要,特别是在高速数据传输和同步应用中。
SN65LVDS108提供了多种封装选项,如TSSOP(DBT)封装。文档中详细列出了不同订购型号的相关信息,包括状态、材料类型、引脚数、包装数量、载体类型、RoHS合规情况、引脚镀层/球材料、湿度敏感度等级/峰值回流温度、工作温度范围和器件标记等。工程师在选择器件时,需要根据实际应用场景和生产要求进行综合考虑。
对于布局和设计,文档提供了示例电路板布局、模板设计和相关的注意事项。例如,在电路板布局时,要注意所有线性尺寸的单位为毫米,尺寸标注和公差遵循ASME Y14.5M标准;电路板的焊料掩膜公差可能因制造地点而异;模板设计中,激光切割具有梯形壁和圆角的孔可能会提供更好的焊膏释放效果,同时不同的电路板组装地点可能有不同的模板设计建议。这些指南有助于工程师设计出性能优良、可靠性高的电路板。
SN65LVDS108以其出色的性能和丰富的功能,为LVDS信号的传输和分配提供了可靠的解决方案。在实际应用中,工程师需要根据具体需求,合理选择器件、优化电路设计,并遵循相关的布局和设计指南,以充分发挥其优势,实现高速、稳定的数据传输和处理。你在使用类似LVDS器件时遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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