电子说
在电子工程领域,放大器作为核心元件,对各类电子设备的性能起着关键作用。今天,我们要深入了解一款出色的放大器——HMC396,它是一款InGaP HBT增益模块MMIC放大器,工作频率范围为DC - 8 GHz,具备众多优秀特性,适用于多种应用场景。
文件下载:HMC396.pdf
HMC396作为一款出色的可级联50欧姆增益模块或本振(LO)驱动器,在多个领域都有广泛应用:
芯片尺寸仅为0.38 x 0.58 x 0.1 mm,非常适合集成到多芯片模块(MCMs)中,节省了空间。
| 在 $Vs = +5.0 V$、$R{bias} = 22$ 欧姆、$T_A = +25^{circ}C$ 的条件下,HMC396的电气规格如下: | 参数 | 频率范围 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 增益 | DC - 4.0 GHz | - | 12 | - | dB | |
| 4.0 - 8.0 GHz | - | 11 | - | dB | ||
| 增益随温度变化 | DC - 4.0 GHz | - | 0.004 | - | dB/°C | |
| 4.0 - 8.0 GHz | - | 0.015 | - | dB/°C | ||
| 输入回波损耗 | DC - 4.0 GHz | 15 | - | - | dB | |
| 4.0 - 8.0 GHz | 12 | - | - | dB | ||
| 输出回波损耗 | DC - 4.0 GHz | 19 | - | - | dB | |
| 4.0 - 8.0 GHz | 17 | - | - | dB | ||
| 反向隔离 | DC - 8.0 GHz | 16 | - | - | dB | |
| 1 dB压缩输出功率(P1dB) | DC - 4.0 GHz | - | 14 | - | dBm | |
| 4.0 - 8.0 GHz | - | 13 | - | dBm | ||
| 输出三阶截点(IP3) | DC - 4.0 GHz | - | 30 | - | dBm | |
| 4.0 - 8.0 GHz | - | 24 | - | dBm | ||
| 噪声系数 | DC - 8.0 GHz | - | 6 | - | dB | |
| 电源电流(Icq) | - | - | 56 | - | mA |
| 为了确保设备的安全和可靠运行,我们需要了解其绝对最大额定值: | 参数 | 额定值 |
|---|---|---|
| 集电极偏置电压(Vcc) | +7 Vdc | |
| RF输入功率(RFIN)(Vcc = +5.0 Vdc) | +10 dBm | |
| 结温 | 150°C | |
| 连续功耗(T = 85°C)(85°C以上每升高1°C降额5.21 mW) | 0.339 W | |
| 热阻(结到芯片底部) | 192°C/W | |
| 存储温度 | -65 至 +150°C | |
| 工作温度 | -55 至 +85°C |
在应用电路中,我们需要选择合适的 $R{bias}$ 来实现所需的 $I{cq}$,计算公式为 $I_{cq}=frac{Vs - 3.9}{R{bias}}$,且 $R_{bias} > 22$ 欧姆。同时,在RFIN和RFOUT端需要使用外部隔直电容。
| 不同频率下的推荐组件值如下: | 组件 | 50 MHz | 1000 MHz | 4000 MHz | 8000 MHz |
|---|---|---|---|---|---|
| L1 | 270 nH | 56 nH | 8.2 nH | 2.2 nH | |
| C1, C2 | 0.01 pF | 100 pF | 100 pF | 100 pF |
芯片背面金属化,可使用导电环氧树脂进行芯片安装。安装表面应清洁平整,涂抹适量的环氧树脂,确保芯片周围形成薄的环氧圆角,并按照制造商的时间表固化环氧树脂。
使用直径为0.025 mm(1 mil)的纯金线进行球焊或楔形键合。推荐采用热超声引线键合,平台温度为150°C,球焊力为40 - 50克,楔形键合力为18 - 22克。使用最小的超声能量实现可靠的引线键合,引线键合应从芯片开始,终止于封装或基板,且键合长度应尽可能短(<0.31 mm,即12 mils)。
综上所述,HMC396是一款性能卓越、应用广泛的放大器芯片。在实际应用中,我们需要根据具体需求合理选择组件和设计电路,并严格遵循处理、安装和键合的注意事项,以充分发挥其性能优势。你在使用类似放大器芯片时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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