深度解析MAX16128/MAX16129:负载突降与反接电压保护电路

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描述

深度解析MAX16128/MAX16129:负载突降与反接电压保护电路

在当今复杂的电子系统中,电源保护至关重要。特别是在汽车、工业、航空电子和电信等领域,电源可能会面临各种恶劣的电压条件,如过压、反接电压和高压瞬态脉冲等。MAX16128/MAX16129负载突降/反接电压保护电路就是为应对这些挑战而设计的。下面,我们就来深入了解一下这两款保护电路。

文件下载:MAX16129UAEBD+T.pdf

产品概述

MAX16128/MAX16129能够保护电源免受输入电压异常情况的损害,包括过压、反接电压和高压瞬态脉冲。它通过内置的电荷泵控制两个外部背对背n沟道MOSFET,在出现有害输入条件(如汽车负载突降脉冲或电池反接)时,关闭并隔离下游电源。该器件可在低至3V的电压下保证正常工作,确保在汽车冷启动等条件下也能稳定运行。此外,它还具有一个标志输出(FLAG),在故障条件下发出信号。

该产品的应用场景广泛,涵盖了汽车、工业、航空电子以及电信/服务器/网络等领域。在汽车领域,它能应对负载突降和冷启动等常见的电压异常情况;在工业环境中,可保护设备免受电源波动的影响;航空电子设备对可靠性要求极高,MAX16128/MAX16129的高性能能够满足其需求;在电信/服务器/网络领域,能确保设备在复杂的电源环境下稳定运行。大家在实际应用中,是否也遇到过类似的电源保护难题呢?

产品优势与特点

增强敏感电子元件保护

  • 宽输入电压保护范围:可提供 -36V 至 +90V 的宽输入电压保护范围,能适应各种恶劣的电源环境。
  • 故障时快速关断:在故障条件下,能够快速关闭栅极,实现完全的负载隔离,保护下游设备。
  • 热关断保护:具备热关断保护功能,当内部管芯温度超过 145°C 时,会自动关闭 MOSFET,防止过热损坏。
  • FLAG 输出指示故障:通过 FLAG 输出可以方便地识别故障条件,便于及时进行处理。
  • 汽车级认证:经过汽车级认证,可在 -40°C 至 +125°C 的宽温度范围内稳定工作,适应汽车等恶劣环境。
  • 低电压工作能力:能够在低至 +3V 的电压下正常工作,可应对汽车冷启动等低电压情况。

集成化设计减小方案尺寸

  • 内部电荷泵电路:内部集成的电荷泵电路可增强外部 n 沟道 MOSFET 的性能,减少外部元件数量。
  • 固定欠压/过压阈值:采用固定的欠压/过压阈值,进一步减少了外部元件的使用,同时简化了设计。
  • 小封装:采用 3mm × 3mm、8 引脚的 µMAX 封装,节省了电路板空间。

降低功耗

  • 低电压降:在反接电压保护时,具有极小的工作电压降,相比传统的离散解决方案,可降低功耗。
  • 低电流消耗:在 30V 输入时,电源电流仅为 380µA,关断电流为 100µA,有效降低了能耗。

电气特性

MAX16128/MAX16129 的电气特性表现出色。其输入电压范围为 3V 至 90V,能适应不同的电源环境。在不同的工作条件下,输入电源电流和 SRC 输入电流也有所不同。内部欠压和过压阈值具有一定的精度和滞回特性,可确保准确的电压保护。例如,在输入电压为 12V 时,输入电源电流典型值为 260µA;在 30V 输入且 SHDN 为高电平时,输入电源电流典型值为 290µA。大家在实际设计中,是否会根据这些电气特性来优化电路呢?

典型工作特性

文档中给出了多个典型工作特性的图表,包括过压故障到栅极的传播延迟与温度的关系、反向电流与反向电压的关系、启动波形等。这些图表直观地展示了产品在不同条件下的性能表现。例如,过压故障到栅极的传播延迟会随着温度的变化而变化,在不同的温度下,传播延迟的数值不同。通过这些典型工作特性,我们可以更好地了解产品的性能,为实际应用提供参考。

引脚配置与功能

该产品采用 8 引脚的 µMAX 封装,各引脚具有不同的功能: 引脚 名称 功能
1 OUT 输出电压感应输入,需通过 100Ω 串联电阻连接到负载,并使用最小 10pF 电容旁路到地。
2 SRC 源极输入,连接到外部 MOSFET 的公共源极。当 MOSFET 关闭时,该连接会被钳位到地。
3 GATE 栅极驱动输出,连接到外部 n 沟道 MOSFET 的栅极。在正常工作时,GATE 是电荷泵的输出;在故障条件或 SHDN 拉低时,GATE 会迅速拉低。
4 IN 正电源输入电压,需使用 0.1µF 陶瓷电容旁路到地。
5 SHDN 关断输入,将 SHDN 拉低可强制 GATE 和 FLAG 拉低,并关闭外部 n 沟道 MOSFET。在正常工作时,需从 SHDN 连接一个 100kΩ 电阻到 IN。
6 GND 接地
7 I.C. 内部连接到地
8 FLAG FLAG 输出,在启动时,只要 VOUT 低于 VIN 的 90%,FLAG 就为低电平,之后为高阻态。在关断模式、过压、热关断、欠压故障或 VOUT 低于 VIN 的 90% 时,FLAG 会拉低。在冷启动故障时,FLAG 也会拉低以指示反向电流保护。

详细工作原理

栅极电荷泵

内部的电荷泵用于产生 GATE 到 SRC 的电压,以增强外部 MOSFET。当输入电压超过欠压阈值后,电荷泵会在 150µs 延迟后开启。在故障条件下,GATE 会以至少 8.8mA 的下拉电流被拉到地。需要注意的是,外部 MOSFET 的栅极和源极之间需要连接一个外部齐纳二极管进行保护。

过压保护

通过内部的比较器和电阻分压器来检测过压情况。当检测到过压时,GATE 输出会变低,从而关闭外部 MOSFET,同时 FLAG 会发出信号指示故障。

过压限制器(MAX16129)

在过压限制器模式下,输出电压会被调节到过压阈值电压,并继续为下游设备供电。此时,器件类似于一个电压调节器。当 OUT 电压超过过压阈值时,GATE 变低,MOSFET 关闭;当 OUT 电压下降到过压阈值减去阈值滞回以下时,GATE 变高,MOSFET 再次开启,以开关线性模式调节 OUT 电压。不过,在长时间处于电压限制模式时,需要注意 MOSFET 的散热问题,以防止过热损坏。

过压开关(MAX16128)

在过压开关模式下,内部过压比较器会监测输入电压。当输入电压超过过压阈值时,GATE 变低,MOSFET 关闭,将负载与输入完全断开。对于自动重试模式的版本,自动重试定时器会启动;对于锁存模式的版本,则需要对 IN 进行电源循环或对 SHDN 进行循环操作才能重新开启外部 MOSFET。MAX16128 还可以配置为锁存关闭模式,即使过压条件结束后也保持关闭状态,需要通过将 IN 电压降低到欠压阈值以下或切换 SHDN 来清除锁存。

欠压保护

通过监测输入电压来实现欠压保护。当输入电压低于欠压阈值时,GATE 变低,关闭外部 MOSFET,同时 FLAG 发出信号。当输入电压超过欠压阈值后,GATE 会在 150µs 延迟(典型值)后变高。

冷启动监测

冷启动故障通常发生在输入电压从稳态下降时。MAX16128/MAX16129 可以根据不同的型号后缀选择不同的冷启动故障处理方式。当冷启动比较器启用时,如果输入电压低于冷启动阈值,GATE 会被拉低,以避免负载因反向电流而放电。当输入电压恢复到正常范围时,GATE 会重新拉高,将负载重新连接到输入。

热关断

当内部管芯温度超过 145°C 时,热关断功能会关闭 MOSFET。当温度下降 15°C(典型值)后,MOSFET 会重新开启。需要注意的是,不要超过绝对最大结温 150°C。

标志输出(FLAG)

FLAG 为开漏输出,用于指示故障条件。在启动时,如果没有故障,当 VOUT 大于 VIN 的 90% 时,FLAG 会变为高阻态。在关断模式、过压、热关断、欠压故障或冷启动故障时,FLAG 会拉低。

反接电压保护

该产品集成了反接电压保护功能,能够承受 -36V 的反向电压而不损坏自身和负载。在反接电压情况下,两个外部 n 沟道 MOSFET 会关闭,保护负载。在正常工作时,MOSFET 导通,具有极小的正向电压降,相比传统的反接电池保护二极管,可降低功耗和电压降。

应用信息

汽车电气瞬态(负载突降)

汽车电路需要对各种电气瞬态进行保护,如负载突降、冷启动等。文档中列出了 ISO 7637 - 2 和 ISO 16750 - 2 标准中定义的各种脉冲情况,包括脉冲的峰值电压、持续时间等。负载突降脉冲通常在发电机充电时电池端子断开时产生,会导致总线电压尖峰。该产品能够应对这些脉冲,保护下游电路。由于产品可以在低至 3V 的电压下工作,下游电路可以在冷启动条件下继续运行。如果需要,还可以增加欠压阈值,使 MOSFET 在冷启动时关闭,断开下游电路,并通过连接输出储能电容为电路提供能量。

MOSFET 选择

MOSFET 的选择对于设计合适的保护电路至关重要。需要考虑的因素包括栅极电容、漏源电压额定值、导通电阻(RDS(ON))、峰值功率耗散能力和平均功率耗散限制等。一般来说,两个 MOSFET 应选择相同的型号。对于尺寸受限的应用,可以选择双 MOSFET 以节省电路板空间。选择合适的漏源电压,确保 MOSFET 能够承受可能施加到电路的最高电压。栅极电容虽然不是关键因素,但会影响 MOSFET 的开关速度。

MOSFET 功率耗散

在正常工作时,MOSFET 的功率耗散可以通过公式 $P = I{LOAD}^{2} × R{DS(ON)}$ 计算,其中 P 是每个 MOSFET 的功率耗散,$I{LOAD}$ 是平均负载电流。在开关模式的故障条件下,MOSFET 关闭,不消耗功率。在限制器模式下,功率耗散最大,平均功率可以通过公式 $P = I{LOAD} × (V{IN} - V{OUT})$ 计算,其中 P 是两个 MOSFET 的平均功率耗散,$I{LOAD}$ 是平均负载电流,$V{IN}$ 是输入电压,$V_{OUT}$ 是输出的平均限制电压。在限制器模式下,需要注意 MOSFET 的峰值功率额定值,避免超过其承受能力。

MOSFET 栅极保护

为了保护 MOSFET 的栅极,需要在栅极和源极之间连接一个齐纳钳位二极管。选择齐纳钳位电压高于 10V 且低于 MOSFET 的 VGS 最大额定值。

增加输入电压保护范围

该产品可以承受 -36V 至 +90V 的输入电压。为了增加正输入电压保护范围,可以在 IN 到地之间连接两个背对背的齐纳二极管,并在 IN 和电源输入之间串联一个电阻,以限制齐纳二极管的电流。需要注意计算串联电阻的峰值功率耗散,避免超过其额定值。同时,关断输入需要一个串联电阻来限制电流。

输出储能电容

输出电容可以作为储能电容,使下游电路能够在故障瞬态条件下继续工作。由于输出电压受到保护,电容的电压额定值可以低于预期的最大输入电压。

选型指南

MAX16128/MAX16129 有多种型号可供选择,不同的后缀代表不同的功能和参数。通过参考文档中的表格,可以根据具体需求选择合适的型号。例如,通过第一后缀选择欠压阈值,第二后缀选择过压阈值,第三后缀选择冷启动阈值,对于 MAX16128 还可以通过第四后缀选择开关模式选项。

总结

MAX16128/MAX16129 负载突降/反接电压保护电路是一款性能出色的电源保护器件,具有宽输入电压范围、快速响应、低功耗、集成化设计等优点。它适用于汽车、工业、航空电子、电信等多个领域,能够有效保护敏感电子元件免受恶劣电源环境的影响。在实际应用中,我们需要根据具体需求选择合适的型号,并合理选择 MOSFET 等外部元件,以确保电路的可靠性和稳定性。大家在使用这款产品时,是否有遇到过一些特殊的问题或有一些独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享。

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