选型手册：VS4020AS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS4020AS 是一款面向 40V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型封装（图中未明确具体型号，推测为 SOP 类小封装），适配低压小型电源管理、电机驱动等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值 7.0mΩ，低压场景下传导损耗低；
  • 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，接大散热片）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 72A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 42A，承载能力较强；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：144A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• 超低导通电阻：基于沟槽工艺设计，10V 驱动下导通电阻仅 7.0mΩ，能效表现优异；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，雪崩能量可达 100% 结温，适配电机等重载场景；
• 快速开关：开关速度快，反向雪崩特性优化，提升电路稳定性；
• 环保合规：满足 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	40	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	28	A
连续漏极电流（接大散热片，\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 72；\(T=100^\circ\text{C}\): 42	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	144	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	88	mJ
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：小型表面贴装封装（推测为 SOP 类）；
• 典型应用：
  • 40V 级低压小型 DC/DC 转换器；
  • 低压电机驱动电路；
  • 消费电子、物联网设备的低压负载开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）