电子说
在电子工程领域,低噪声放大器的性能往往直接影响到整个系统的运行效率和稳定性。今天,我们就来详细探究一下 HMC772LC4 这款 GaAs HEMT MMIC 低噪声放大器,它在 2 - 12 GHz 频段有着出色的表现。
文件下载:HMC772.pdf
一款优秀的放大器,需要在多种应用场景中都能发挥出色。HMC772LC4 就满足了这样的需求,它非常适合应用于以下场景:
大家在设计这些类型的系统时,是否会优先考虑 HMC772LC4 这样的低噪声放大器呢?
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 频率范围 | 2 - 12 | - | - | GHz |
| 增益 | 14 | 15 | - | dB |
| 增益随温度变化 | - | 0.01 | - | dB/° |
| 噪声.figure | - | 1.8 | 2.5 | dB |
| 输入回波损耗 | - | 15 | - | dB |
| 输出回波损耗 | - | 15 | - | dB |
| 1dB 压缩输出功率 | - | 13 | - | dBm |
| 输出三阶交调截点(IP3) | - | 25 | - | dBm |
| 电源电流(Vdd = 4V,Vgg = -0.2V 典型) | - | 45 | - | mA |
从这些规格中我们可以看出,HMC772LC4 在不同的参数上都有着明确的性能指标,这为工程师在设计电路时提供了可靠的参考。
随着温度的变化,HMC772LC4 的增益、输出回波损耗、输入回波损耗等参数都会有所波动。通过相关的图表可以直观地看到这些参数随温度的变化趋势,这对于在不同温度环境下使用该放大器的设计非常重要。
输出 P1dB、输出 Psat 和噪声.figure 也会受到温度的影响。工程师在设计时需要充分考虑这些因素,以确保放大器在各种温度条件下都能稳定工作。
大家在实际设计中,是如何应对放大器温度特性带来的影响呢?
| 在使用任何电子元件时,都需要了解其绝对最大额定值,以避免元件损坏。HMC772LC4 的绝对最大额定值如下: | 参数 | 数值 |
|---|---|---|
| 漏极偏置电压 | +5V | |
| 漏极偏置电流 | 60mA | |
| RF 输入功率 | 5 dBm | |
| 栅极偏置电压 | -1 至 0.3V | |
| 连续功耗(T = 85°C)(85°C 以上每升高 1°C 降额 5.8mW) | 0.55W | |
| 热阻(通道到接地焊盘) | 172℃/W | |
| 通道温度 | 180℃ | |
| 存储温度 | -65 至 +150℃ | |
| 工作温度 | -40 至 +85°C |
在设计电路时,一定要严格遵守这些参数,确保放大器的安全和稳定运行。
HMC772LC4 采用的是 RoHS 兼容的 4x4 mm QFN 无引脚陶瓷封装,其引脚和接地焊盘镀有闪金镍层,封装翘曲不超过 0.05mm,所有接地引脚和接地焊盘都必须焊接到 PCB 的 RF 接地。
| 引脚编号 | 功能 | 描述 | 接口示意图 |
|---|---|---|---|
| 1,2,4 - 7,12 - 15, 17 - 19,24 | GND | 这些引脚和接地焊盘必须连接到 RF/DC 接地 | OGND |
| 3 | RFIN | 该引脚交流耦合并匹配到 50 欧姆 | RFIN OII |
| 8 | Vgg | 放大器的栅极控制,需遵循“MMIC 放大器偏置程序”应用笔记 | Vgg |
| 9 | Vdd | 放大器的电源电压 | Vdd |
| 10,11,20 - 23 | N/C | 这些引脚内部未连接,但测量数据是在这些引脚外部连接到 RF/DC 接地的情况下获得的 | - |
| 16 | RFOUT | 该引脚交流耦合并匹配到 50 欧姆 | O RFOUT |
了解引脚的功能和连接方式,对于正确使用放大器至关重要。
应用电路展示了放大器在实际应用中的连接方式和外部元件的使用,为工程师提供了一个参考的设计方案。
评估 PCB 提供了一个完整的测试平台,其材料清单包括了各种连接器、电容和放大器等元件。在使用评估板时,需要采用 RF 电路设计技术,确保信号线路具有 50 欧姆阻抗,同时将封装接地引脚和外露焊盘直接连接到接地平面,并使用足够数量的过孔连接顶层和底层接地平面,评估板还应安装到合适的散热器上。
HMC772LC4 作为一款高性能的低噪声放大器,在多个方面都表现出色。无论是其丰富的应用场景、优秀的电气性能,还是合理的封装和引脚设计,都为电子工程师提供了一个可靠的选择。在实际设计中,大家可以根据具体需求,充分发挥其优势,打造出更加优秀的电子系统。
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