安森美热门技术与重点产品十问十答

年终干货来啦！回顾这一年，安森美（onsemi）收到超多工程师小伙伴的技术问询，从新品选型到散热优化、从替代型号查找到手册工具获取，大家的困惑我们都记在心里～

今天特意筛选出热门十问十答，覆盖 SiC、IGBT、图像传感器等重点产品，聚焦选型、可靠性、散热、栅极驱动等高频痛点，为你奉上清晰好懂、直接能用的参考答案，帮你扫清设计障碍，年末冲刺不踩坑！

一   2025年安森美有哪些重点新品？关键优势和应用是什么？

2025年安森美围绕汽车、工业、AI数据中心等领域推出多款重磅新品，每款都针对性解决行业痛点。

Hyperlux ID 系列作为安森美首款实时、间接飞行时间(iToF)传感器，可对快速移动物体进行高精度长距离测量和三维成像。Hyperlux ID 系列采用安森美全新专有全局快门像素架构且自带存储，可以捕捉完整场景，同时实时进行深度测量。这种创新方法突破标准iToF传感器的局限性，实现最远30米的深度感知，是标准iToF传感器的四倍，而且外形尺寸更小。此外，该传感器系列还能同时生成黑白图像和深度信息。通过结合这两种输出，该传感器系列可以提供全面的环境视图，而无需为视觉和深度数据分别配置传感器。

EliteSiC SPM 31 系列是首款基于 1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 的智能功率模块（IPM），电流覆盖 40A-70A，与安森美 15A-35A 的 IGBT SPM 31 产品形成互补，构建起业界最广的集成功率模块阵容。相比第 7 代场截止（FS7）IGBT 技术，其在相同紧凑封装下实现更高能效与功率密度，热性能提升的同时降低功率损耗，支持更快开关速度，尤其适合 AI 数据中心 EC 风机、热泵、商用 HVAC 系统、伺服电机、工业泵阀等三相变频驱动场景。与使用当前IGBT功率集成模块(PIM)的系统解决方案相比，在70%负载时的功率损耗为500W，而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个EC风机的年能耗和成本降低52%。

为AI数据中心和电气化应用设定能效新标杆，安森美还发布了革命性垂直氮化镓（vGaN）功率半导体技术，这项突破性技术基于安森美独有的GaN-on-GaN工艺，采用垂直电流导通架构。安森美的垂直氮化镓技术采用单芯片设计，可应对1,200伏及以上高压，高频开关大电流，能效卓越。基于该技术构建的高端电源系统能降低近50%的能量损耗，同时因其更高的工作频率，因而电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。而且，与目前市售的横向GaN器件相比，垂直氮化镓器件的体积约为其三分之一。因此，安森美的垂直氮化镓尤为适合对功率密度、热性能和可靠性有严苛要求的关键大功率应用领域，包括AI数据中心、电动汽车、充电基础设施、可再生能源、储能系统（ESS）、工业自动化、航空航天等领域。

为汽车和工业应用的电源封装技术带来突破，安森美也推出了采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等市场的高功率、高电压应用场景提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性。T2PAK 顶部冷却封装通过将MOSFET与散热片直接热耦合，在散热和开关性能之间实现了极佳平衡。该设计最大限度降低了结点至散热片的热阻，并支持多种导通电阻Rds(on) 选项（12mΩ - 60mΩ），从而提升设计灵活性。

二   遇到 EOL（停产）产品，如何快速找到替代型号？

找到 EOL 产品替代型号的核心，是先理解安森美器件命名规则 —— 不同品类器件的型号编码逻辑不同，掌握关键字符含义，能快速匹配功能、封装、参数相似的替代款。以热门品类为例IGBT和模拟集成电路两类核心器件举例说明。

IGBT产品“NGTB25N120IHWT4G”——“GT” 代表 IGBT 产品组，“B” 是带共封装二极管的产品系列，“25” 为 100℃下 25A 的电流规格，“N” 是 N 沟道，“120” 对应 1200V 电压等级，“IH” 是电感加热优化的性能属性，“W” 为 TO-247 封装。若该型号 EOL，替代时可优先匹配 “产品组（GT）+ 系列（B）+ 电流 / 电压等级 + 封装”。

模拟集成电路型号 “NCP1234AD30RG”——“N” 是标准产品类，“CP” 代表模拟集成电路电源管理产品组，“1234” 是产品编号，“A” 为增强型温度 / 输出类型，“D” 对应 SOIC 封装。

更多安森美器件命名规则可扫码查看安森美相关白皮书，涵盖 EliteSiC、IGBT、MOSFET、图像传感器等多类产品的编码逻辑。

三   如何快速找到安森美器件的DATA SHEET，原理图，评估板，PCB布局指南等？

安森美为工程师提供 “一站式设计工具库”，首先，进入安森美官网（www.onsemi.cn），在顶部导航栏点击 “产品”即可查看所有分类下的产品并进行筛选搜索。同时也可以在右侧搜索栏输入具体的器件型号，即可看到对应的产品详情页面、技术文档以及设计工具等，同时可直接下载产品概览等。如果有对应的评估板信息，同样可以在相关页面进行下载。

相关的产品DATA SHEET，可在“设计”→“技术文档”→“数据手册”中进行筛选或搜索相应的产品型号进行下载。

若需通用 PCB 布局指南，可在 “设计”→“技术文档”→“应用笔记”中筛选或搜索对应关键词例如PCB Layout与Design进行查看。

四   IGBT可靠性是什么？如何查询安森美器件的IGBT可靠性数据？

作为电力电子系统的核心器件，IGBT 的可靠性对于保障整个系统的运行安全非常重要。IGBT需要经过一系列广泛的可靠性测试以验证一致性，这些测试旨在加速实际应用中遇到的故障机制，从而确保在“真实世界”应用中获得令人满意的可靠性能。

IGBT常规进行的可靠性测试包括：高温反向偏置 (HTRB)、高温栅极偏置 (HTGB)、高温储存寿命 (HTSL) 测试、高湿高温反向偏置 (H3TRB)、无偏高加速压力测试 (UHAST)、间歇性工作寿命 (IOL)、温度循环 (TC)、低温储存寿命 (LTSL) 测试、稳态工作寿命 (SSOL) 测试等。

如何对IGBT进行可靠性测试以及如何通过可靠性审核程序确保IGBT的产品可靠性，请查看如下文章：

IGBT如何进行可靠性测试？

确保IGBT产品可靠性，需要经过哪些测试？

关于安森美IGBT器件的可靠性数据，可扫码前往安森美官网相关页面查看具体型号器件的可靠性数据。

五   功率器件的散热设计要考虑哪些要点？

功率器件如MOSFET、SiC的散热设计强调建立完整的热阻网络模型，从结到环境逐层优化，包括封装内部热阻、导热界面材料热阻以及散热器与环境之间的热阻。同时，应结合封装选型与 PCB 布局，利用铜箔和散热过孔降低局部热积聚，并针对高功率密度场景选用低热阻封装。导热界面材料的导热系数与厚度均匀性直接影响接触热阻，需确保贴合良好;散热器则需根据材料、鳍片结构和冷却方式匹配实际功耗与热阻目标，并可借助热仿真工具提前验证设计合理性。

针对SiC器件，其高效率与高温性能优越，可在较高结温下工作，但仍需确保封装和系统整体耐温能力，同时注意高频开关引起的瞬态热效应，参考瞬态热阻抗曲线评估峰值温度。系统级热管理还应结合温度监控与降额策略，在不同工况下动态调整运行参数，以保障可靠性。最终通过实际工况下的红外热成像或热电偶测量进行验证，确保散热设计满足寿命与性能要求。

六   碳化硅隔离栅极驱动器如何选型？

栅极驱动器选型的核心是与被驱动器件（如 SiC MOSFET、Si MOSFET、GaN）精准适配，优先匹配电压特性与隔离能力。驱动 SiC MOSFET 需选择 15V-20V 正驱动电压、-2V 至 - 5V 负偏置的型号，负偏置不仅能避免高频开关时的寄生导通风险，还可显著降低关断损耗；驱动 Si MOSFET 常用 10V-15V 正电压，无需负偏置；GaN 器件则适配 5V-10V 正电压，部分需 0V 至 - 5V 负偏置。

高压场景（如 800V 车载 OBC、太阳能逆变器）需重点关注隔离参数，确保驱动器的隔离电压（含重复峰值、工作、瞬态等隔离电压指标）满足系统需求，安森美相关型号支持最高 1200V 直流工作电压，同时需控制隔离电容大小，减少高频率、高电压下的漏电流与功率损耗。

电流驱动能力与动态性能、保护功能同样关键。需根据被驱动器件的栅极电荷与开关速度预留足够余量，确保驱动器能快速充放电栅极电容，缩短开关时间、降低损耗；高频系统需选择高共模瞬态抗扰度（CMTI）的驱动器，避免噪声干扰导致误触发。此外，优先选择集成欠压锁定（UVLO）、使能功能的型号，提升系统可靠性，峰值拉 / 灌电流可达 4.5A/9A，部分内置负偏置电压生成机制，无需额外元件，适配电动汽车、充电设施、云计算服务器等多种大功率应用场景。

参考文章：

选好栅极驱动器，SiC MOSFET性能、效率和安全性三管齐下

高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型，一文告诉您

七   SiC MOSFET的短路耐受时间代表什么？

SiC MOSFET 的 “短路耐受时间”（SCWT），是指器件在栅极驱动正常、漏极 - 源极出现短路故障时，能维持安全工作而不损坏的最长时间—— 这是衡量 SiC 器件鲁棒性的核心指标之一，直接影响功率电路的保护设计余量。

安森美 1200 V M 1 SiC MOSFET 留有一定的设计裕度，以提供短路耐受能力。器件能够在短路中存活的时间取决于许多因素，最重要的因素是 VDS 和设备可能遭受短路事件的参考温度。

20 mΩ、1200 V 半桥 SiC MOSFET 模块中的短路耐受时间

第三代 M3 引入了更多创新，M3 技术部署到了两种特定应用的产品中：M3S 和 M3E/M3T。M3E 产品旨在满足主驱逆变器应用的要求，短路耐受时间约为 1.5 µs。

八   如何查询并使用安森美设计工具？

就系统级设计而言，开发工具的重要性不亚于为您的应用找到合适的方案。安森美官网提供丰富全面的工具和软件，致力于帮助您找到合适的产品，并在整个设计周期的产品选型、测试和分析等环节中，为您提供全程支持。

Product Recommendation Tools+

为设计找到合适的产品并不容易，需要查阅大量产品手册，比较各种规格和功能。产品推荐工具 PRT+ 旨在帮助设计工程师从安森美的产品组合中找到合适的产品。PRT+ 采用排名算法，可以根据半导体元器件的品质因数及用户选择的快速筛选条件来推荐产品，这也是这款工具的主要优势。为简化器件搜索，PRT+ 工具整合了各种先进功能。交互式图表便是其中之一，能够以图形方式直观呈现产品组合的各种参数。该工具还提供快速筛选选项，可将关键参数归拢到一个表中，以便您轻松找到最佳方案PRT+ 工具还有“相似产品推荐”功能，用户可从许多产品页面直接访问该功能。

WebDesigner+

WebDesigner+ 是一款辅助设计电源的在线工具，可以根据输入输出要求，推荐电源管理器件和相关电气器件。所需参数包括：最小和最大输入电压、环境温度、输出电压及电源的输出电流。该工具支持的输入参数工作范围如下：

输入电压范围为 -40 V 至 1000 V。

输出电压范围为 -65 V 至 100 V。

输出电流范围为 10 μA 至 40 A。

环境温度范围为 -40 °C 至 175 °C

该工具会基于这些标准，显示符合设计要求的产品清单，随后用户可以根据能效、拓扑、成本、占位和其他参数，筛选出合适的方案。WebDesigner+ 使用先进的数学模型来计算工作状态下的器件参数，如能效、损耗、元件温度等，并且能够以交互式图表和表格的形式呈现这些参数，从而帮助用户快速评估设计的适用性。该工具还能够整合推荐的物料单 (BOM)、原理图、设计工作参数和图表等信息，创建一份详细的设计报告，并且您可以与同事分享这些信息。

Elite Power 仿真工具＋PLECS 模型自助生成工具

安森美的 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具可以针对具体应用，为电力电子工程师提供先进的精确仿真和产品选型功能，从而节省工程师的时间。这些工具能在开发初期提供有价值的参考信息，有助于减少硬件制造和测试的成本与时间。当 Elite Power 仿真工具与 PLECS 模型自助生成工具结合使用时，设计人员只需输入与设计环境相关的设计特定寄生信息，即可生成 PLECS 高精度系统级仿真模型。除了整个 EliteSiC 方案组合外，这些工具最近还将支持范围扩展到了场截止第 7 代 (FS7) IGBT。

DevWareX

DevWareX旨在帮助开发者更快速、更准确、更高效地完成图像传感器的开发工作，这款工具支持对图像传感器进行编程，可以显示和评估图像，并能运行Python脚本来捕获和保存图像。其中内置了许多调试工具。另外还提供了ApBase库，这是配套的软件开发包(SDK)，可支持开发用于图像传感器控制和图像显示的定制应用程序。图像传感器通过一组“寄存器”进行配置和控制，配置好输出后，就会以设定的大小和速度（每秒帧数或“fps”）输出图像流。借助DevWareX和ApBase，图像传感器就能够执行这些操作。安森美提供的图像传感器、系统单芯片SoC、图像传感器处理器ISP均由DevWareX提供支持。

参考文章：收藏！图像传感器开发必备工具DevWareX实操

九   为什么需要关注IGBT的结温？如何通过实验测量与计算得到其结温值？

结温是IGBT芯片内部PN结的实际温度，是决定器件可靠性、寿命和工作安全性的核心参数。若结温超过芯片最大允许值（通常为150℃或175℃），会导致器件性能急剧退化甚至永久性损坏。因此，精确计算结温是确保功率变换装置（如变频器、逆变器）长期稳定运行的关键。

结温计算需分两步：首先通过实验测量损耗，即利用示波器捕捉IGBT开关及导通时的电压、电流波形，对瞬时功率曲线积分得到单个脉冲的开关能量和导通能量，再乘以开关频率得到平均功率损耗；然后结合热学参数进行计算，根据器件数据手册中的结壳热阻（θ_JC）和考虑芯片间热耦合的交互作用系数（Psi），利用公式计算出稳态结温，若需峰值结温还需叠加脉冲热阻带来的瞬态温升。

下文为IGBT和二极管芯片的损耗与结温计算提供了详细的指导和实用的方法，对功率半导体器件的设计和应用具有重要的参考价值。

干货 | 一文搞懂IGBT的损耗与结温计算

十   图像传感器选型应该关注哪些关键因素？

图像传感器选型需优先把控核心成像性能，这是决定设备视觉效果的基础，具体涵盖分辨率、像素大小、快门类型、帧率、动态范围等指标，不同场景对这些参数的侧重各不相同，比如安防摄像头需要高动态范围和优异的弱光成像能力，工业扫描设备则更依赖全局快门来避免运动模糊。除了成像性能，产品与系统级参数也至关重要，低功耗设计、运动检测、智能兴趣区域识别等集成功能，能直接降低系统功耗和算力需求。

配套工具与资源支持是选型时容易被忽视却影响开发效率的关键因素，包括是否符合 ISO 26262、IEC 61508 等功能安全标准，与 SOC/FPGA、镜头厂商的生态兼容性，以及供应链稳定性、评估板与 SDK 开发工具、技术支持等全生命周期保障。安森美打造的 Hyperlux 四大产品系列，针对性覆盖低功耗IoT、高动态汽车、全局快门工业等不同场景，搭配完善的工具与生态支持，能帮助开发者快速完成选型与系统集成。

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