选型手册：VS3620GPMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS3620GPMC 是一款面向 30V 低压超大功率场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（VDSS​）：30V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（RDS(on)​）：VGS​=10V时 5.0mΩ、VGS​=4.5V时 8.1mΩ，低压场景下传导损耗低；
  • 连续漏极电流（VGS​=10V，栅极限制）：T=25∘C时 60A、T=100∘C时 38A，承载能力极强；
  • 脉冲漏极电流（IDM​）：240A（T=25∘C），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：兼具低导通电阻与快速开关特性，提升低压电源能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 34mJ，抗冲击能力强；
• 高功率密度：PDFN5x6 封装适配高集成度电路设计，散热性能优异；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（T=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	VDSS​	30	V
栅源极电压	VGS​	±20	V
二极管连续正向电流	IS​	60	A
连续漏极电流（VGS​=10V，栅极限制）	ID​	T=25∘C: 60；T=100∘C: 38	A
脉冲漏极电流	IDM​	240	A
单脉冲雪崩能量	EAS​	34	mJ
最大功耗	PD​	T=25∘C: 31；T=100∘C: 2.6	W
工作 / 存储温度范围	、	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 30V 级低压超大功率 DC/DC 转换器；
  • 储能系统、工业设备的超大电流负载开关；
  • 高功率电源管理系统的核心功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）