选型手册：VS1606GS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS1606GS 是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP8 封装，适配中压小型电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（VDSS​）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（RDS(on)​）：VGS​=10V时 10.0mΩ、VGS​=4.5V时 14.5mΩ，中压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（VGS​=10V）：T=25∘C时 20A、T=100∘C时 13A，满足小型负载的电流需求；
  • 脉冲漏极电流（IDM​）：80A（T=25∘C），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：兼顾低导通电阻与快速开关特性，提升中压电源能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 31mJ，抗冲击能力强；
• 小封装集成：SOP8 封装体积小，适配小型化电路板设计；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（T=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	VDSS​	100	V
栅源极电压	VGS​	±20	V
二极管连续正向电流	IS​	20	A
连续漏极电流（VGS​=10V）	ID​	T=25∘C: 20；T=100∘C: 13	A
脉冲漏极电流	IDM​	80	A
单脉冲雪崩能量	EAS​	31	mJ
工作 / 存储温度范围	、	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：SOP8 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 100V 级中压小型 DC/DC 转换器；
  • 消费电子、物联网设备的中压负载开关；
  • 小型中压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）