选型手册：HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件

威兆半导体推出的 HCKD5N65BM2 是一款 650V 高压高速 IGBT（搭配反并联二极管），采用 TO-252 封装，适配电机驱动、风扇驱动等场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：Trench FS-Trench² 高速 IGBT（含反并联二极管）
• 核心参数：
  • 集电极 - 发射极击穿电压（VCES​）：650V，适配高压供电场景；
  • 直流集电极电流（Ic​）：Tc​=25∘C时 10A、Tc​=100∘C时 5A，满足中功率负载需求；
  • 二极管正向电流（IF​）：Tc​=25∘C时 10A、Tc​=100∘C时 5A，适配续流场景。

二、核心特性

• Trench FS-Trench² 技术：兼具低导通压降（VCE(sat)​）与快速开关特性；
• 反并联快恢复二极管：开关损耗低，适配高频场景；
• 高结温特性：工作结温范围宽，可靠性强；
• 正温度系数：便于多器件并联使用。

三、关键额定参数（Tc​=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	条件	数值	单位
集电极 - 发射极击穿电压	VCES​	-	650	V
直流集电极电流	Ic​	Tc​=25∘C	10	A
直流集电极电流	Ic​	Tc​=100∘C	5	A
反向重复峰值电压	VRRM​	-	650	V
二极管直流正向电流	IF​	Tc​=25∘C	10	A
栅极 - 发射极电压	VGE​	瞬态（t⩽0.1s）	±20	V

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装；
• 典型应用：
  • 电机驱动电路；
  • 风扇驱动系统；
  • 白色家电（如家电设备的功率控制）。

五、信息来源

威兆半导体官方数据手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版资料为准。）