选型手册：VSP011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSP011N10MS-G 是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封装，适配中压大功率电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（VDSS​）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（RDS(on)​）：VGS​=10V时 8.5mΩ、VGS​=4.5V时 13mΩ，中压场景下传导损耗低；
  • 连续漏极电流（VGS​=10V）：T=25∘C时 50A、T=100∘C时 32A，承载能力较强；
  • 脉冲漏极电流（IDM​）：200A（T=25∘C），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：兼顾低导通电阻与快速开关特性，提升中压电源能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 26mJ，抗冲击能力强；
• 高功率密度：PDFN5x6 封装适配高集成度电路设计，散热性能优异；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（T=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	VDSS​	100	V
栅源极电压	VGS​	±20	V
二极管连续正向电流	IS​	50	A
连续漏极电流（VGS​=10V）	ID​	T=25∘C: 50；T=100∘C: 32	A
脉冲漏极电流	IDM​	200	A
单脉冲雪崩能量	EAS​	26	mJ
最大功耗	PD​	T=25∘C: 44；T=100∘C: 4.2	W
工作 / 存储温度范围	、	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 100V 级中压大功率 DC/DC 转换器；
  • 工业设备、储能系统的中压电流负载开关；
  • 中功率电源管理系统的核心功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）