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在电子工程师的日常工作中,选择合适的栅极驱动器对于电源转换和功率控制至关重要。今天,我们就来深入探讨一款高性能的700V半桥栅极驱动器——UCC2773x。
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UCC2773x专为离线AC - DC电源和逆变器设计,具有3.5A源电流和4A灌电流能力,能够驱动功率MOSFET和IGBT。它由一个接地参考通道(LO)和一个浮动通道(HO)组成,浮动通道采用自举电源设计,可处理高达700V的电压。
UCC2773x的应用非常广泛,包括但不限于以下领域:
UCC2773x的两个输入(HI和LI)独立工作,但当两个输入都为高电平或重叠时,输出(HO和LO)将被拉低,实现输入互锁保护,防止上下桥臂同时导通。这种设计避免了传统栅极驱动器单输入的局限性,且不影响传播延迟和延迟匹配,没有内置死区时间。输入与TTL逻辑兼容,也能与CMOS控制信号配合使用,可连接数字或模拟控制器输出,还能接受宽摆率信号并承受负电压,在输入处添加小RC滤波器可进一步提高系统抗噪性。
UCC27735的第4引脚提供使能功能,适用于控制器位于隔离屏障次级侧的应用。使能引脚采用非反相配置(高电平有效),内部通过200kΩ上拉电阻连接到VDD,默认状态下输出使能。使能功能响应时间约为32ns,可在发生初级侧过流等关键故障时快速关闭驱动器信号。使能引脚的输入阈值逻辑与TTL和CMOS兼容,独立于电源电压,可由3.3V和5V微控制器有效控制。
高侧和低侧驱动级均配备UVLO保护电路,分别监测VDD - VSS电源电压和自举电容电压(VHB - VHS)。VDD UVLO电路会抑制LO和HO输出,HB UVLO电路仅抑制HO输出,确保在电源电压不足时输出保持低电平,防止外部MOSFET或IGBT异常导通。内置的UVLO迟滞可防止电源电压波动时出现振荡。
电平转换电路是低电压输入级与高侧驱动级之间的接口,使HO输出能够参考HS引脚进行控制,并与低侧驱动器实现出色的延迟匹配。这种设计确保了在不同电压参考下的信号传输准确性,提高了系统的稳定性和可靠性。
UCC2773x的输出级采用独特的上拉结构,在功率开关导通的米勒平台区域能够提供最大的峰值源电流。上拉结构由一个P沟道MOSFET和一个额外的N沟道MOSFET并联组成,N沟道MOSFET在输出从低电平变为高电平的瞬间短暂导通,提供峰值源电流的快速提升,实现快速导通。下拉结构由一个N沟道MOSFET组成。每个输出级能够提供3.5A峰值源电流和4A峰值灌电流脉冲,输出电压在(VDD和COM)以及(HB和HS)之间摆动,实现轨到轨操作。
UCC2773x具有快速的传播延迟,典型值为32ns,且HO和LO通道之间的延迟匹配最大在6ns以内。这种特性有助于在高频开关应用中精确控制死区时间,减少脉冲失真,提高系统效率和性能。
在半桥驱动器的典型开关操作中,HS(开关节点)电压在接地和母线电压之间摆动。UCC2773x能够承受高达200V/ns的dV/dt转换率而不会出现信号失真、逻辑错误或损坏。这种高dV/dt抗扰度使UCC2773x能够在更快的开关应用和使用宽带隙功率器件(如SiC和GaN FET)的系统中稳定运行。
UCC27735具有两个独立的接地引脚COM和VSS,LO引脚参考COM,输入引脚(HI、LI、EN、VDD)参考VSS。分离接地带来两个优点:一是高电流栅极驱动回路可以通过COM引脚局部连接,避免关断栅极电流通过VSS引脚返回,减少接地反弹,保持输入电压参考不受开关噪声干扰;二是电平转换器允许COM偏置在与VSS不同的电压,可使用负关断偏置,有助于减少SiC FET中由于米勒电流注入引起的误导通。
在典型的半桥配置中,由于功率电路中的寄生电感,HS引脚在开关过程中可能会出现负电压。UCC2773x能够在这种负电压条件下稳定运行,但为确保电平转换电路正常工作,需要保证其供电电压不低于3V。当HB - HS = 12V时,HS最低可工作在 - 9V。实际应用中,建议通过布局和设计将负瞬态限制在器件推荐规格范围内。
以一个将370V - 410V DC转换为12V,输出电流高达50A的移相全桥电路为例,使用两个UCC2773x驱动器,由UCC28950控制器控制。
在PWM控制器和UCC2773x输入引脚之间添加RC滤波器,以过滤高频噪声。典型推荐值为RHI = RLI = 10Ω,CHI = CLI = 390pF。滤波器的参数应根据所需的传播延迟、噪声频率和幅度进行调整,较大的电阻和电容值可过滤更多噪声,但会增加输入信号的上升和下降时间,降低有效传播延迟。如果需要更高的抗噪能力,也可在EN引脚添加RC滤波器。
自举电容的大小应确保有足够的电荷来驱动FET Q1的栅极,且电容放电不超过10%。一般原则是CBOOT至少为等效FET栅极电容(Cg)的10倍。Cg根据驱动高端FET栅极的电压(VQ1g)和FET栅极电荷(Qg)计算得出。例如,在设计中VQ1g约为14.4V,Qg为87nC,计算得到Cg约为6.04nF,因此CBOOT应至少为60nF,实际选择了100nF的电容。
对于具有分离接地的器件版本,建议分别使用CVDD - COM和CVDD - VSS旁路电容。CVDD - COM的计算方法与CBOOT类似,可选用相同的值。CVDD应至少为CBOOT的10倍,在设计中选择了2µF的电容。
可选的自举电阻RBOOT用于限制自举二极管(DBOOT)中的电流和VHB - HS电压的上升斜率。在设计中选择了2.2Ω的电流限制电阻,将自举二极管电流(IBOOT(pk))限制在约6.5A。同时,要注意自举电阻的功率耗散能力,确保其能够承受自举电容初始充电过程中的短时间高功率耗散。
栅极电阻RHO和RLO用于减少寄生电感和电容引起的振铃,并限制栅极驱动器的输出电流。在设计中选择了3.01Ω的电阻。通过计算可以确定最大HO和LO驱动电流和灌电流,以确保满足功率器件的驱动要求。
应选择快速恢复二极管,以避免反向恢复损耗导致自举电容放电。推荐选择反向恢复时间短(tRR)、正向电压低(VF)和结电容低的二极管。
UCC2773x的功率损耗(PUCC2773x)由多个部分组成,包括静态损耗和动态损耗。静态损耗主要由静态电流(IQDD、IQBS)和泄漏电流(IBL)引起,动态损耗主要由驱动FET时的栅极电荷引起。通过计算各部分损耗并相加,可以得到总的功率损耗,为散热设计提供依据。
由于UCC2773x是3.5A峰值电流驱动器,需要在VDD端子到VSS/COM端子之间尽可能靠近地放置低ESR的去耦电容,以确保开关过程中电源的稳定性。推荐使用具有稳定温度特性的陶瓷电容,如X7R或更好的电容。此外,对于栅极电荷较大的系统,可并联一个较大的电解电容作为储能电容。推荐的电解电容为22µF、50V,去耦电容为1µF 0805尺寸的50V X7R电容,理想情况下可再并联一个较小的100nF 0603尺寸的50V X7R电容。同样,HB - HS电源端子也建议使用低ESR的X7R电容,并尽可能靠近器件引脚放置。
UCC2773x凭借其高性能、高可靠性和丰富的保护功能,成为了离线AC - DC电源和逆变器应用中的理想栅极驱动器选择。在实际应用中,电子工程师需要根据具体的设计要求,合理选择外部组件,并遵循正确的PCB布局指南,以充分发挥UCC2773x的性能优势。你在使用UCC2773x或其他栅极驱动器时遇到过哪些问题?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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