电子说
在电子工程师的日常工作中,电机驱动设计是一个关键且具有挑战性的领域。今天,我们将深入探讨德州仪器(TI)的DRV835x系列,这是一款专为三相无刷直流(BLDC)电机应用设计的高度集成栅极驱动器,它在减少系统元件数量、成本和复杂性方面表现出色。
文件下载:drv8353.pdf
DRV835x支持9至100V的电压范围,集成了三重半桥栅极驱动器、可选的降压调节器和可选的三重低端电流分流放大器。其智能栅极驱动架构可调节压摆率,有效控制电磁干扰(EMI),并通过(V_{GS})握手和最小死区时间插入防止直通现象。此外,它还具备50mA至1A的峰值源电流和100mA至2A的峰值灌电流,通过强下拉功能减轻dV/dt影响。
该系列产品集成了高端倍压电荷泵和低端线性稳压器,可实现100%的PWM占空比控制。同时,集成的LM5008A降压调节器提供6至95V的工作电压范围和2.5至75V、350mA的输出能力。此外,DRV835x还集成了多种保护功能,如VM欠压锁定(UVLO)、栅极驱动电源欠压(GDUV)、MOSFET (V_{DS})过流保护(OCP)等,确保系统的稳定性和可靠性。
DRV835x支持6x、3x、1x和独立PWM模式,可满足不同的控制需求,同时支持120°有感运行。此外,它还提供SPI或硬件接口,方便与外部控制器连接。在低功耗睡眠模式下,当(V_{VM}=48V)时,电流仅为20µA。
DRV835x的应用领域十分广泛,涵盖了三相无刷直流(BLDC)电机模块、风扇、鼓风机和泵、电动自行车、电动滑板车和电动出行设备、电动工具和割草机、无人机、机器人和遥控玩具以及工厂自动化和纺织机器等。
DRV835x采用智能栅极驱动(SGD)架构,减少了MOSFET压摆率控制和保护电路所需的外部元件数量。该架构优化了死区时间,防止直通现象,通过MOSFET压摆率控制降低电磁干扰(EMI),并通过(V_{GS})监视器保护栅极短路。强栅极下拉电路可防止不必要的dV/dt寄生栅极导通事件。
DRV835x提供四种不同的PWM控制模式,包括6x、3x、1x和独立PWM模式。每种模式都有其独特的特点和应用场景,可根据具体需求选择合适的模式。例如,1x PWM模式可通过内部块换向表实现三相BLDC电机的简单有感梯形控制。
DRV8353和DRV8353R集成了三个双向电流分流放大器,可通过低端分流电阻监测每个外部半桥的电流水平。DRV8350R和DRV8353R集成了350mA的降压调节器,可为外部控制器或其他逻辑电路供电。此外,该系列产品还提供了多种保护功能,如电源欠压锁定、栅极驱动欠压锁定、(V_{DS})过流监测、栅极驱动短路检测和过温关机等,确保系统的安全运行。
以DRV8353R为例,它可用于单电源、三相BLDC电机驱动,具有独立的半桥电流检测功能。在设计过程中,需要根据具体的应用需求选择合适的外部组件,如MOSFET、电容、电阻等,并进行合理的布局和布线,以确保系统的性能和稳定性。
在设计过程中,需要注意以下几点:
DRV835x系列是一款功能强大、性能优异的三相智能栅极驱动器,具有宽电压范围、集成功能丰富、保护特性完善等优点。它适用于各种三相无刷直流电机应用,能够帮助工程师简化设计、降低成本、提高系统的可靠性和性能。在实际应用中,工程师需要根据具体需求选择合适的型号和配置,并注意设计要点和注意事项,以确保系统的最佳性能。你在使用DRV835x系列产品时遇到过哪些问题或挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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