选型手册：AGM012N10LL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

AGMSEMI 推出的 AGM012N10LL 是一款面向 100V 中压超大功率场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLX-8L 封装，适配高压超大电流电源管理、同步整流等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺）
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（VDSS​）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（RDS(ON)​）：1.0mΩ（VGS​=10V），中压场景下传导损耗极致低；
  • 连续漏极电流（ID​）：TC​=25∘C时 365A、TC​=100∘C时 272A，承载能力极强；
  • 脉冲漏极电流（IDM​）：1440A（TC​=25∘C），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

• 先进沟槽工艺：兼具超低导通电阻与快速开关特性，适配高频大电流场景；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试、100% VDSS​ 测试，单脉冲雪崩能量达 230mJ，抗冲击能力强；
• 低栅极电荷：开关损耗低，提升电路能效；
• 大封装高功率密度：TOLX-8L 封装适配超大功率电路，散热性能优异。

三、关键电气参数（TC​=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	VDSS​	100	V
栅源极电压	VGS​	±20	V
连续漏极电流	ID​	TC​=25∘C: 365；TC​=100∘C: 272	A
脉冲漏极电流	IDM​	1440	A
最大功耗	PD​	TC​=25∘C: 550；TC​=100∘C: 190	W
单脉冲雪崩能量	EAS​	230	mJ
工作 / 存储温度范围	、	-40~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TOLX-8L 表面贴装封装，包装规格为 2000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 100V 级中压超大功率 DC/DC 转换器；
  • 同步整流电路；
  • 工业设备、储能系统的超大电流负载开关；
  • 电机驱动系统。

五、信息来源

AGMSEMI 官方数据手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版资料为准。）