选型手册：AGM65N20AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

AGMSEMI 推出的 AGM65N20AT 是一款面向 200V 高压中功率场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，适配高压电源管理、同步整流等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺）
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（VDSS​）：200V，适配高压供电场景；
  • 导通电阻（RDS(ON)​）：17mΩ（VGS​=10V），高压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（ID​）：TC​=25∘C时 75A、TC​=100∘C时 52A，承载能力较强；
  • 脉冲漏极电流（IDM​）：300A（TC​=25∘C），可应对瞬时大电流冲击。

二、核心特性

• 先进沟槽工艺：高集成度设计，导通损耗与开关损耗平衡，适配高压场景；
• 低栅极电荷：开关速度快，提升电路能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 135mJ，抗冲击能力强；
• TO-247 封装：直插封装散热性能优异，适配大功率电路。

三、关键电气参数（TC​=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	VDSS​	200	V
栅源极电压	VGS​	±20	V
连续漏极电流	ID​	TC​=25∘C: 75；TC​=100∘C: 52	A
脉冲漏极电流	IDM​	300	A
最大功耗	PD​	TC​=25∘C: 338；TC​=100∘C: 135	W
单脉冲雪崩能量	EAS​	135	mJ
工作 / 存储温度范围	、	-40~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-247 直插封装，包装规格为 450pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 200V 级高压 DC/DC 转换器；
  • 同步整流电路；
  • 工业设备的高压负载开关；
  • 电机驱动系统。

五、信息来源

AGMSEMI 官方数据手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版资料为准。）