选型手册：AGMH6018C N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

AGMSEMI 推出的 AGMH6018C 是一款面向 60V 低压大功率场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，适配负载开关、电池保护等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺）
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（VDSS​）：60V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（RDS(ON)​）：1.5mΩ（VGS​=10V），低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（ID​）：TC​=25∘C时 150A、TC​=100∘C时 100A，承载能力极强；
  • 脉冲漏极电流（IDM​）：600A（TC​=25∘C），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

• 先进沟槽工艺：高集成度设计，兼具低导通电阻与快速开关特性；
• 低栅极电荷：开关损耗小，提升电路能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 706mJ，抗冲击能力强；
• TO-220 封装：直插封装散热性能优异，适配大功率电路。

三、关键电气参数（TC​=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	VDSS​	60	V
栅源极电压	VGS​	±20	V
连续漏极电流	ID​	TC​=25∘C: 150；TC​=100∘C: 100	A
脉冲漏极电流	IDM​	600	A
最大功耗	PD​	TC​=25∘C: 200；TC​=100∘C: 104	W
单脉冲雪崩能量	EAS​	706	mJ
工作 / 存储温度范围	、	-40~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220 直插封装，包装规格为 1000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 60V 级低压大功率 DC/DC 转换器；
  • 负载开关电路；
  • 电池保护系统；
  • 电子镇流器、开关电源。

五、信息来源

AGMSEMI 官方数据手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版资料为准。）