选型手册：AGM40P150C P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

AGMSEMI 推出的 AGM40P150C 是一款面向 40V 低压超大功率场景的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，适配负载开关、电池保护等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：P 沟道增强型功率 MOSFET（沟槽工艺）
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（VDSS​）：-40V（P 沟道，电压为负），适配低压供电场景；
  • 导通电阻（RDS(ON)​）：3.0mΩ（VGS​=−10V），低压场景下传导损耗低；
  • 连续漏极电流（ID​）：TC​=25∘C时 - 148A、TC​=100∘C时 - 104A（负号对应 P 沟道电流方向），承载能力极强；
  • 脉冲漏极电流（IDM​）：-592A（TC​=25∘C），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

• 先进沟槽工艺：高集成度设计，兼具低导通电阻与快速开关特性；
• 低栅极电荷：开关损耗小，提升电路能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试、100% VDSS​ 测试，单脉冲雪崩能量达 847mJ，抗冲击能力强；
• TO-220 封装：直插封装散热性能优异，适配大功率电路。

三、关键电气参数（TC​=25∘C，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	VDSS​	-40	V
栅源极电压	VGS​	±20	V
连续漏极电流	ID​	TC​=25∘C: -148；TC​=100∘C: -104	A
脉冲漏极电流	IDM​	-592	A
最大功耗	PD​	TC​=25∘C: 332；TC​=100∘C: 153	W
单脉冲雪崩能量	EAS​	847	mJ
工作 / 存储温度范围	、	-40~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220 直插封装，包装规格为 1000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 40V 级低压大功率负载开关；
  • 电池保护系统；
  • 同步整流电路；
  • 电机驱动系统。

五、信息来源

AGMSEMI 官方数据手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版资料为准。）