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在电子工程师的日常工作中,电机驱动的设计是一个重要的领域。今天,我们要深入探讨的是德州仪器(TI)推出的DRV870x-Q1系列汽车级单H桥栅极驱动器,包括DRV8702-Q1和DRV8703-Q1这两款产品。它们在汽车应用中有着广泛的用途,下面我们就来详细了解一下。
文件下载:drv8702-q1.pdf
DRV870x-Q1通过了AEC-Q100汽车应用认证,其器件温度等级为1,环境工作温度范围在 -40°C 至 +125°C之间。同时,它具备功能安全能力,还提供了相关文档来辅助功能安全系统的设计,这为汽车应用中的安全性提供了可靠保障。
作为单H桥栅极驱动器,它能够驱动四个外部N沟道MOSFET,并且支持100%的PWM占空比。其工作电源电压范围在5.5至45V之间,有PH/EN、独立H桥和PWM三种控制接口选项,方便与不同的控制器电路进行连接。此外,DRV8703-Q1还配备了用于配置的串行接口,增加了使用的灵活性。
采用智能栅极驱动架构,可实现可调的压摆率控制,能独立控制每个H桥。支持1.8V、3.3V和5V的逻辑输入,并且集成了电流分流放大器和PWM电流调节功能,还具备低功耗睡眠模式,有效降低了系统的功耗。
具备多种保护特性,如电源欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)锁定、过流保护(OCP)、栅极驱动器故障(GDF)、热关断(TSD)以及看门狗定时器(DRV8703-Q1)等,同时还设有故障条件输出(nFAULT),能及时反馈故障信息,保护器件和系统的安全。
DRV870x-Q1适用于多种汽车应用场景,如电动窗升降、天窗、座椅、滑动门、后备箱和尾门等的驱动,还可用于继电器替换。在一些有刷直流泵的应用中也能发挥重要作用。
涵盖了电源电压、电荷泵电压、控制引脚电压等多个参数的最大额定值,例如电源电压VM的范围是 -0.3 至 47V,控制引脚电压的范围是 -0.3 至 5.75V等。在设计时,必须严格遵守这些参数,以确保器件的安全运行。
其人体模型(HBM)的ESD分类等级为2,带电器件模型(CDM)的ESD分类等级为C4B,部分角引脚的ESD等级为 ±750V,这表明它具有一定的静电防护能力,但在实际操作中仍需注意静电防护措施。
推荐的PWM信号频率为100kHz,AVDD和DVDD的外部负载电流分别有相应的限制,工作环境温度范围在 -40 至 125°C之间。在VREF电压为0至约0.3V时仍可工作,但精度会有所下降,同时要注意功耗和热限制。
给出了结到环境的热阻等热信息,如32引脚的RHB(VQFN)封装的结到环境热阻为32.9°C/W,这对于散热设计非常重要,工程师需要根据实际情况进行合理的散热布局。
详细列出了电源、控制输入、控制输出、栅极驱动器等方面的电气特性参数,如VM工作电压在5.5至45V时栅极驱动器功能正常,在4.5至45V时逻辑功能正常;VM工作电源电流在不同条件下有不同的值等。这些参数为电路设计提供了精确的参考。
对于DRV8703-Q1的SPI通信,规定了时钟周期、时钟高时间、时钟低时间等多个时序参数,确保SPI通信的稳定性和准确性。
包括睡眠时间、唤醒时间、导通时间等开关特性参数,如睡眠时间nSLEEP置低到进入睡眠模式为100µs,这些参数对于系统的响应速度和性能有重要影响。
DRV870x-Q1是单H桥驱动器,控制四个外部NMOS FET来驱动双向有刷直流电机,也可在独立半桥模式下驱动两个单向有刷直流电机。支持5.5V至45V的电源电压,通过nSLEEP引脚可开启低功耗睡眠模式。采用智能栅极驱动技术,可调节栅极驱动强度,减少了离散电机驱动系统的元件数量。
从功能框图可以看出,它包含了电源、栅极驱动器、电荷泵、逻辑电路、电流调节等多个部分。电源部分为整个器件提供能量,栅极驱动器直接驱动N沟道MOSFET,电荷泵用于产生高侧栅极驱动电压,逻辑电路负责控制信号的处理,电流调节部分则用于限制电机的电流。
推荐了一些外部组件,如在DVDD、AVDD、IDRIVE、VDS等引脚需要连接相应的陶瓷电容器,在nFAULT、nWDFLT等引脚需要连接上拉电阻,在VDRAIN和VM引脚之间可连接100Ω的串联电阻等。这些外部组件的选择和连接对于器件的性能和稳定性至关重要。
通过不同的控制接口(PH和EN、独立PWM、标准PWM)可以实现电机的正反转、制动、高阻等不同状态的控制。例如,在PH和EN控制接口中,通过IN1/PH和IN2/EN的不同组合可以实现电机的不同运行模式。
采用固定关断时间的PWM电流调节或电流斩波来调节电机绕组的最大电流。当电流达到斩波阈值时,桥进入制动(低侧慢衰减)模式,直到关断时间结束。通过VREF引脚的电压和分流放大器的增益可以计算出斩波电流。
SO引脚输出的模拟电压与SP和SN引脚之间的电压乘以放大器增益成正比,可用于计算H桥的电流。在制动模式下,SO引脚不代表电机电流。
内部的栅极驱动器直接驱动N沟道MOSFET,高侧栅极驱动由电荷泵提供,低侧栅极驱动由内部稳压器产生。通过IDRIVE引脚或IDRIVE寄存器可以调节栅极驱动器的峰值驱动电流,从而改变输出压摆率。
死区时间是指H桥FET关断和导通之间SHx引脚处于高阻状态的时间,它与IDRIVE电阻设置有关。传播延迟时间是指输入边沿到输出变化的时间,由输入去毛刺器和输出压摆延迟两部分组成。
监测每个外部FET的VDS电压,当超过OCP阈值电压且OCP去毛刺时间结束后,检测到过流情况。通过改变VDS引脚的电阻或设置VDS寄存器可以调节OCP阈值电压。
集成的电荷泵为高侧NMOS提供栅极驱动电压,需要在VM和VCP引脚之间连接电容,在CPH和CPL引脚之间连接低ESR陶瓷电容。根据VM电压的不同,电荷泵有不同的工作模式。
通过钳位结构将栅极驱动输出电压限制在VC(GS)电压,保护功率FET不受损坏。
具备多种保护电路,如VM欠压锁定、逻辑欠压、VCP欠压锁定、过流保护、栅极驱动器故障、热关断、看门狗故障等。不同的故障会导致相应的输出变化和保护动作,当故障消除后,系统会根据相应的条件恢复正常运行。
DRV8703-Q1采用SPI进行通信,工作在从模式。SPI输入数据字为16位,包括5位命令、3位无关位和8位数据;输出数据字为8位寄存器数据。通信需要满足一定的条件,如时钟极性和相位的设置、SCLK和nSCS引脚的状态要求等。
包括状态寄存器和控制寄存器。状态寄存器用于报告警告和故障条件,是只读寄存器;控制寄存器用于配置器件,可读写。不同的寄存器有不同的功能和位定义,例如FAULT状态寄存器可以反映多种故障信息,IDRIVE和WD控制寄存器可以设置死区时间、看门狗使能和IDRIVE等参数。
以DRV8702-Q1为例,其典型应用电路包括电源输入、电机连接、栅极驱动、电流检测等部分。在设计时,需要根据具体的应用需求选择合适的外部组件,如FET、电容、电阻等。
根据电荷泵容量和PWM输出频率来选择合适的FET。在不同的工作模式下,可使用不同的公式计算FET的驱动容量,例如在驱动和制动(慢衰减)为主要模式时,可使用Qg < VCP / f(PWM) 来计算。
根据FET的栅极电荷和期望的上升时间来选择IDRIVE值。通过计算最小和最大IDRIVE值,在两者之间选择合适的值,并根据该值确定IDRIVE引脚连接的电阻。
根据FET的最大电流和RDS(on)来配置VDS监测阈值电压。通过计算FET的漏源电压,选择合适的VDS(OCP)值,并通过VDS引脚或VDS寄存器进行设置。
根据期望的斩波电流和分流放大器的增益,选择合适的感测电阻和VREF引脚电压。通过公式计算出所需的参数,并进行相应的设置。
DRV8702-Q1的输入电压供应范围为5.5V至45V,需要在VM引脚附近放置0.1µF的陶瓷电容和至少10µF的大容量电容,同时还需要为外部H桥FET提供额外的大容量电容。
在布局时,要将VM引脚用低ESR陶瓷旁路电容旁路到地,CPL和CPH引脚之间、VM和VCP引脚之间都要放置合适的电容。AVDD和DVDD引脚也要用陶瓷电容旁路到地。SP和SN引脚要用单独的走线连接到感测电阻。
DRV870x-Q1系列栅极驱动器为电机驱动设计提供了丰富的功能和灵活的配置选项。其智能栅极驱动技术、全面的保护机制以及多种控制接口,使得它在汽车和其他相关应用中具有很大的优势。然而,在实际设计过程中,我们还需要根据具体的应用场景,仔细考虑外部组件的选择、布局设计、热管理等问题,以确保系统的性能和可靠性。希望本文能为广大电子工程师在使用DRV870x-Q1进行设计时提供一些有价值的参考和思路。大家在实际应用中遇到过哪些问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享交流。
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