电子说
在电力电子设计领域,栅极驱动器是驱动MOSFET和IGBT等功率开关的关键组件。今天我们要深入探讨的是德州仪器(TI)的UCC27518和UCC27519单通道高速低侧栅极驱动器,这两款产品在开关电源、DC - DC转换器等应用中表现出色。
文件下载:ucc27518.pdf
UCC27518和UCC27519是低成本的栅极驱动器,能有效替代NPN和PNP分立解决方案。并且,它们与TI的TPS2828和TPS2829设备引脚兼容,方便工程师进行升级和替换。
具备4A的峰值源电流和4A的峰值灌电流的对称驱动能力,能够为电容性负载提供高的峰值电流脉冲,实现轨到轨驱动。
采用CMOS输入逻辑阈值,阈值电压是VDD电源电压的函数,且具有宽滞后特性(典型为16% VDD),能有效抵抗噪声干扰。
在开关电源和DC - DC转换器中,UCC27518/19可作为功率开关的驱动,实现高效的功率转换。
作为数字电源控制器的配套栅极驱动器,能提升整个电源系统的性能。
特别适合驱动新兴的宽带隙功率器件,如GaN功率半导体器件,因其能在低电压下工作,且具备出色的开关特性。
输入引脚基于CMOS逻辑,输入高阈值(V_INH)典型为55% VDD,输入低阈值(VIN_L)典型为39% VDD。这种设计不仅提供了较高的噪声免疫力,还允许通过在输入PWM信号和INx引脚之间插入RC电路来引入延迟。
EN引脚具有可浮动的使能功能,阈值为固定电压,不随VDD引脚偏置电压变化。典型的使能高阈值(V_ENH)为2.1V,使能低阈值(VEN_L)为1.25V。EN引脚可悬空或不连接,实现与TI前代驱动器的引脚兼容。
输出级采用独特架构,在功率开关导通转换的米勒平台区域能提供最高的峰值源电流。采用N沟道和P沟道MOSFET并联的混合上拉结构,可在输出状态从低到高变化的瞬间提供峰值电流的短暂提升,实现快速导通。
驱动器的有效工作范围受负载驱动功率要求和封装热特性的影响。为确保在特定温度范围内正常工作,封装应能有效散热,使结温保持在额定范围内。可参考TI的IC Package Thermal Metrics(SPRA953)应用笔记获取详细的热信息。
功率损耗主要包括直流部分(PDC = IQ × VDD)和开关部分(PSW)。UCC27518和UCC27519的静态电流非常低,直流部分的功率损耗可忽略不计。开关部分的功率损耗取决于功率器件的栅极电荷、开关频率和外部栅极电阻的使用情况,计算公式为: [P{SW}=Q{G} × V{DD} × f{SW} × left(frac{R{OFF}}{(R{OFF}+R{GATE})}+frac{R{ON}}{(R{ON}+R{GATE})}right)] 其中,ROFF为下拉结构的有效电阻,RON为上拉结构的有效电阻。
UCC27518和UCC27519单通道高速低侧栅极驱动器凭借其出色的性能、广泛的应用范围和灵活的设计特点,成为开关电源、DC - DC转换器等领域的理想选择。在实际设计中,工程师需要根据具体应用需求,合理选择电源、优化布局、考虑散热和功率损耗等因素,以充分发挥这两款驱动器的优势。大家在使用过程中有没有遇到过一些特殊的问题呢?欢迎在评论区交流分享!
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