摩擦纳米发电技术新机制在可穿戴设备中的应用

　　机械能-电能转换技术被认为具有广泛的运用前景，特别在微型化传感器、可穿戴电子器件及便携式设备的自供电方面有着巨大的市场潜力。其中，摩擦纳米发电技术（TENG）取得了令人瞩目的发展。传统的摩擦纳米发电技术基于介电材料之间的摩擦起电（contact electrification），往往能够获得高电压（静电荷积累）。然而由于常用聚合物材料的高阻抗，基于介电质位移电流（dielectric displacement current）原理产生的瞬时电流往往非常微弱。同时，其产生的交流电必须通过整流转换为直流电加以利用。

　　成果介绍

　　2017年，加拿大阿尔伯塔大学（University of Alberta）加拿大首席杰出科学家（Canada Excellent Research Chair），国家“外专千人计划”专家Thomas Thundat 教授课题组博士生Jun Liu（刘骏）在一次偶然的导电原子力显微镜（C-AFM）实验中，发现在金属-二维半导体材料摩擦体系中存在一种特殊的连续直流电生成现象（J. Liu， et al. Nature nanotechnology 13 （2）， 112）。近日，刘骏博士等人通过原子层沉积技术（ALD）对界面氧化层厚度的精确调控，发现了直流电流随金属-绝缘体-半导体摩擦体系中绝缘体厚度的指数衰减关系，验证了摩擦直流电的量子隧穿机制。基于这一发现，他们在宏观体系中成功验证了硅基材料的直流发电机雏形，硅材料表面1-2 纳米的氧化薄层提供了一个天然的电子隧穿通道，其连续直流电流密度高达10 A/m2。该项成果以题为“Sustained electron tunneling at unbiased metal-insulator-semiconductor triboelectric contacts”在线发表在Nano Energy。合作单位有阿尔伯塔大学材料系系主任Ken Cadien教授课题组，韩国Sogang大学Jungchul Lee教授课题组，以及上海交通大学“千人计划”专家胡志宇教授课题组。

　　图文导读

　　图1 摩擦直流电的电流输出特征

　　

　　（a） 导电原子力显微镜（C-AFM）原理示意图

　　（b） p型硅样品的摩擦直流电C-AFM输出信号（探针作用力对电流输出影响）

　　（c） 探针作用力对探针-样品接触面积和形变影响

　　（d） 有效氧化层厚度对C-AFM电流输出值的影响

　　（e） 宏观体系测试示意图，演示用探针为万用表探针

　　（f） 和 （g） 分别为往复摩擦和连续旋转摩擦示意图

　　（h） 和 （i） 分别为往复摩擦和连续旋转摩擦条件下的短路电流输出信号

　　（j） Si表面氧化层厚度对输出电流的影响，其指数型衰减趋势与电子的量子隧穿机理一致

　　图2 摩擦直流电的电压输出特征

　　

　　（a） 和 （b） 分别为往复摩擦和连续旋转摩擦条件下的开路电压输出信号

　　（c） 和 （d） 分别为摩擦（非平衡）和静止（平衡）状态下的界面能带图

　　（e） C-AFM体系中外加偏压对输出电流的影响

　　（f） Si表面氧化层厚度对开路电压和界面电场的影响

　　图 3 金属功函数对界面电势差方向的影响

　　

　　（a）-（c） 分别为铜、金、铝材料探针对摩擦界面电势差方向的影响

　　图4 硅基摩擦直流电机雏形的性能表征

　　

　　（a） 单针摩擦系统在不同负载下的电流电压输出

　　（b） 单针摩擦系统在不同负载下的电流密度和功率密度输出

　　（c） 单针系统在硅材料上产生的摩擦直流电对电容器进行充电

　　小结

　　金属-绝缘体-半导体摩擦系统中基于量子隧穿效应直流电效应的发现，为摩擦电的利用打开了新思路，对摩擦界面的基础物理有了更加深入的探索。利用其原理进行规模化探索具有巨大的运用前景。