前言
双向可控硅(Triac)作为交流电路中核心的功率控制器件,凭借体积小、控制简便、可靠性高的优势,广泛应用于家电、工业控制、照明等多个领域。深圳争妍微电子深耕功率半导体领域多年,打造了涵盖深圳争妍微二极管、争妍微三极管、争妍微MOSFET、争妍微可控硅、争妍微IGBT、争妍微SiC JBS、争妍微氮化镓HEMT、争妍微驱动IC的全系列产品矩阵,为下游行业提供一站式功率解决方案。
深圳争妍微电子李学会总经理表示:“功率半导体是电子设备的‘能量心脏’,而可控硅作为基础且关键的品类,其稳定性直接决定终端产品的品质与寿命。我们的BTA系列可控硅在传承经典架构的基础上,融合了公司自主研发的芯片工艺,同时可与争妍微驱动IC、争妍微MOSFET等产品形成协同适配,既满足传统场景的可靠性需求,也能适配新能源、工业自动化等高端领域的升级诉求,助力客户实现产品性能迭代与成本优化。”
一、产品概述
本手册涵盖的BTA08、BTA12、BTA16、BTA24四款产品均为深圳争妍微可控硅系列中的双向晶闸管,采用TO-220AB封装形式,具备绝缘性能优良、散热效率高、抗干扰能力强等特点。产品适用于交流开关、温度控制、照明调光、电机调速、固态继电器等场景,可通过微弱门极信号控制大功率交流负载,实现精准的功率调节与无触点开关控制。
四款产品基于统一的技术平台研发,仅在额定电流、浪涌电流等参数上存在差异,便于客户根据负载需求选型,同时可与争妍微驱动IC完美匹配,简化电路设计流程,提升系统集成效率。

二、核心参数规格(Ta=25℃)
参数名称 | 单位 | BTA08 | BTA12 | BTA16 | BTA24 | 备注 |
RMS通态电流(IT(RMS)) | A | 8 | 12 | 16 | 24 | Tc=89℃(BTA08);Tc=86℃(BTA16) |
重复峰值断态电压(VDRM/VDRM) | V | 600/800 | 600/800 | 600/800 | 600/800 | 可根据需求定制更高耐压规格 |
浪涌通态电流(ITSM) | A | 80/88(50/60Hz) | 120/132(50/60Hz) | 160/168(50/60Hz) | 240/264(50/60Hz) | 一个周期,不重复 |
峰值门极电流(IGM) | A | 2.0 | 3.0 | 4.0 | 5.0 | tp=20μs,Tj=125℃ |
结温范围(Tj) | ℃ | -40~125 | -40~125 | -40~125 | -40~125 | 工业级标准 |
绝缘击穿电压(VISO) | V | 1500(RMS,1分钟) | 1500(RMS,1分钟) | 1500(RMS,1分钟) | 1500(RMS,1分钟) | 保障绝缘安全性 |

3.1 引脚排列
产品正面朝上,引脚从左至右依次为:1脚(A1,主端子1)、2脚(A2,主端子2)、3脚(G,门极)。其中A1和A2为电流导通的主回路端子,门极(G)用于输入触发信号,控制可控硅的导通与关断。
3.2 接线原则
四、选型指南
李学会总经理强调:“选型的核心是匹配负载特性与工况需求,争妍微可控硅的全系列布局可覆盖从低功率到中高功率的各类场景,同时结合公司的争妍微IGBT、争妍微SiC JBS等产品,可实现跨品类协同选型,满足复杂系统的功率控制需求。”具体选型建议如下:
选型时需预留30%以上的电流安全裕量,电压规格需高于电路最大反向峰值电压的1.5~2倍,工业复杂工况建议优先选择800V耐压规格。
五、使用注意事项
5.1 热管理
可控硅导通时存在通态损耗,长时间大电流工作需加装散热片,确保结温不超过125℃。散热片与器件接触面需涂抹导热脂,厚度控制在0.05mm以内,保证散热效率。对于BTA24等大功率型号,建议搭配散热风扇强制散热。
5.2 保护电路设计
5.3 触发控制要点
门极触发电流需大于器件标称值的2倍,确保可靠导通;电阻负载触发脉冲宽度需大于20μs,感性负载需大于100μs。推荐使用争妍微驱动IC,其内置隔离与抗干扰设计,可有效解决触发不稳定问题,尤其适用于工业自动化等复杂场景。
感性负载(如电机)工作时会产生反向电动势,建议并联续流二极管(可选用深圳争妍微二极管),或加装TVS管,防止器件被反向电压击穿。
5.4 存储与安装
产品存储温度范围为-40~150℃,需放置在干燥、无腐蚀性气体的环境中,避免引脚氧化。安装时需确保接触面平整度小于0.02mm,固定压力不低于2000psi,防止接触不良影响散热。
六、典型应用场景
深圳争妍微可控硅凭借优异的性能,已广泛应用于多个领域,结合公司全系列功率器件,形成了完整的应用解决方案:

七、品质与服务承诺
深圳争妍微电子始终以“技术创新、品质至上”为理念,所有争妍微可控硅均经过严格的出厂测试,确保参数一致性与可靠性。公司构建了从芯片设计、封装测试到系统解决方案的全产业链能力,可为客户提供选型指导、电路设计支持、样品测试等一站式服务。
李学会总经理表示:“未来,争妍微电子将持续加大研发投入,在优化可控硅、MOSFET等传统产品性能的同时,加速争妍微SiC JBS、争妍微氮化镓HEMT等宽禁带半导体器件的产业化进程,构建更完善的功率半导体产品矩阵,助力国内电子产业实现自主可控与升级发展。”
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