电子说
作为电子工程师,在设计电路时,选择合适的总线开关至关重要。今天我们就来深入探讨一下德州仪器(TI)的SN74CBTD3306双FET总线开关,看看它有哪些特性和参数,以及在实际应用中需要注意的地方。
文件下载:sn74cbtd3306.pdf
SN74CBTD3306是一款具有电平转换功能的双FET总线开关,它有两个独立的线路开关。当相关的输出使能(OE)输入为高电平时,开关会被禁用。芯片上集成了一个连接到Vcc的二极管,这使得它能够将设备输入的5V信号转换为设备输出的3.3V信号,非常适合电平转换应用。
| 该芯片有SOIC - D和TSSOP - PW两种封装形式,每种封装又有管装和卷带装可供选择。不同封装的订购信息如下表所示: | TA | PACKAGE † | ORDERABLE PART NUMBER | TOP - SIDE MARKING | |
|---|---|---|---|---|---|
| −40 °C to 85 °C | SOIC - D | Tube | SN74CBTD3306D | CC306 | |
| Tape and reel | SN74CBTD3306DR | ||||
| TSSOP - PW | Tube | SN74CBTD3306PW | CC306 | ||
| Tape and reel | SN74CBTD3306PWR |
| 每个总线开关的功能由OE输入控制,具体功能如下表: | INPUT OE | FUNCTION |
|---|---|---|
| L | A port = B port | |
| H | Disconnect |
当OE为低电平时,A端口和B端口相连;当OE为高电平时,A端口和B端口断开。
在使用芯片时,我们必须了解其绝对最大额定值,以避免对芯片造成永久性损坏。SN74CBTD3306的绝对最大额定值如下:
需要注意的是,如果遵守输入和输出钳位电流额定值,输入和输出的负电压额定值可能会被超过。
| 为了确保芯片的正常运行,我们应该在推荐的工作条件下使用它。SN74CBTD3306的推荐工作条件如下: | MIN | MAX | UNIT | |
|---|---|---|---|---|
| Vcc Supply voltage | 4.5 | 5.5 | V | |
| VIH High - level control input voltage | 2 | V | ||
| VIL Low - level control input voltage | 0.8 | V | ||
| TA Operating free - air temperature | - 40 | 85 | °C |
在快速边沿速率、多个输出切换和高频操作的应用中,输出的电平转换效果可能会很小或没有。此外,设备所有未使用的控制输入必须保持在Vcc或GND,以确保设备正常运行。
| 在推荐的工作温度范围内,SN74CBTD3306的电气特性如下: | PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP# | MAX | UNIT |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VIK | Vcc = 4.5V, I = - 18mA | - 1.2 | V | |||
| VOH | See Figure 2 | |||||
| I | Vcc = 5.5V, V1 = 5.5V or GND | ±1 | μA | |||
| Icc | Vcc = 5.5V, l0 = 0, V1 = Vcc or GND | 1.5 | mA | |||
| AlccS | Control inputs Vcc = 5.5V One input at 3.4V, Other inputs at Vcc or GND | 2.5 | mA | |||
| C | Control inputs V1 = 3V or 0 | 3 | pF | |||
| Cio(OFF) | Vo = 3V or 0, OE = Vcc | 4 | pF | |||
| ron | Vcc = 4.5V, V1 = 0, I = 30mA | 5 | 7 | Ω | ||
| V = 2.4V, I = 15mA | 35 | 50 | Ω |
所有典型值均在VCC = 5V、TA = 25°C时测量。导通状态电阻是通过开关在指定电流下A和B端子之间的电压降来确定的。
| 在推荐的电源电压和工作温度范围内,开关特性如下: | PARAMETER | FROM (INPUT) | TO (OUTPUT) | MIN | MAX | UNIT |
|---|---|---|---|---|---|---|
| tpd † | A or B | B or A | 0.25 | ns | ||
| ten | OE | A or B | 2.1 | 5.4 | ns | |
| tdis | OE | A or B | 1 | 4.7 | ns |
传播延迟(tpd)是开关的典型导通状态电阻和指定负载电容的RC时间常数,由理想电压源(零输出阻抗)驱动时计算得出。
在实际应用中,如果遇到快速边沿速率、多个输出切换和高频操作的情况,输出的电平转换效果可能会受到影响。这时候我们需要仔细评估电路的需求,看是否需要采取其他措施来保证电平转换的效果。
设备所有未使用的控制输入必须保持在Vcc或GND,以确保设备正常运行。这一点很容易被忽视,但却对芯片的性能有着重要影响。大家在设计电路时,一定要记得参考TI应用报告《Implications of Slow or Floating CMOS Inputs》(文献编号SCBA004)。
不同的封装形式在尺寸、散热等方面可能会有所不同。我们需要根据实际的应用场景和电路板布局来选择合适的封装。例如,如果对空间要求较高,可以选择TSSOP - PW封装;如果对散热要求较高,可能需要考虑SOIC - D封装。
总之,SN74CBTD3306是一款功能强大的双FET总线开关,在电平转换应用中有着广泛的应用前景。但在使用过程中,我们需要充分了解其特性和参数,注意各种应用考量,才能设计出稳定可靠的电路。大家在实际应用中有没有遇到过类似芯片的问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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