芯干线核心功率器件产品及其应用领域

芯 干 线

专注第三代半导体功率器件及模块研发、销售、应用技术服务

企业简介

芯干线科技「现费米电气(舟山)有限公司」，由功率半导体资深海归博士、电源行业市场精英和一群有创业梦想的年轻专业人士所创建的宽禁带功率器件原厂。2022 年获评规模以上企业，2023 年跻身国家级科技型中小企业、国家级高新技术企业，通过 ISO9001 生产质量管理体系认证;2024 年顺利通过 IATF16949 汽车级零部件生产质量管理体系认证，斩获 ASpencore 中国IC设计成就奖等奖项;2025 年再获江苏省潜在独角兽、江苏省创新企业等殊荣。

芯干线自成立以来，深耕于功率半导体GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模块的研发、销售和应用技术服务。产品被广泛应用于海洋电子、移动出行、电动工具、低空飞行、消费电子、Ai算力等能源电力转换与应用领域。

芯干线品牌总部位于浙江舟山，分公司遍布南京、深圳、苏州、盐城等国内多地，并延伸至北美与台湾地区，业务版图不断拓展中。

核心优势

强大专家团队海归博士领衔，集结顶尖功率器件和电源领域精英。

强化技术壁垒120+核心专利构筑第三代半导体护城河。

覆盖多元场景广泛适配海洋电子、移动出行、低空飞行、AI算力、消费电子、储能等多元能源电力转换场景。

垂直整合理念以功率半导体技术为核心，垂直整合资源，实现芯片、模块和电源模块的最佳融合。

人性化的解决方案场景定制技术，精准匹配细分场景痛点，让能效革命更懂您的需求。

严苛质量体系认证通过 ISO9001、IATF16949 等权威认证，符合车规、工规等严苛标准。

交付保障能力强劲集团盐城模块封装厂实现量产，具备规模化生产能力，通过产能合理规划与供应链优化，可快速响应客户大批量订单需求，保障交付及时性。

企业实力雄厚 全球市场布局完善国家级高新技术企业，总部位于浙江舟山，分公司遍布深圳、苏州、盐城、舟山等国内多地，并延伸至北美与台湾地区，构建了覆盖国内外核心市场的营销与服务网络。

深度协同创新 生态合作优势明显与瑞萨电子等全球半导体领军企业建立战略合作伙伴关系，共同时与国际一线品牌建立联合创新机制，缩短技术落地周期，形成“研发-应用-迭代”的良性生态闭环。

行业荣誉加持 品牌市场认可度高先后获评规模以上企业、国家级科技型中小企业、国家级高新技术企业、江苏省潜在独角兽企业、江苏省创新企业等殊荣;斩获ASpencore中国IC设计成就奖、“行家极光奖——第三代半导体应用推动突破奖”等行业权威奖项，进入国内电驱主驱前五供应商目录、全球头端数据中心供应商供应链白名单，品牌影响力与行业认可度持续提升。

核心产品

①功率半导体 — GaN HEMT

芯干线GaN HEMT 产品，凭借超高频、高效、低损耗的核心优势，可实现更高功率密度与更小体积，适配多元场景需求。

其产品系列涵盖多型号，以700V耐压为核心特性，IDS(漏极电流)覆盖 8A-50A 区间，如 X3G6503ATL 型号支持 50A 大电流，满足高功率场景;RDS (on)(导通电阻)低至 32mΩ，搭配低至 1.5nC 的 Qg(栅极电荷)，有效降低损耗、提升效率。

封装形式包含 TOLT、DFN 等多规格，兼顾集成度与适配性，可广泛应用于新能源、储能、通信等领域，为终端设备提供高效紧凑的功率解决方案。

②功率半导体 — SIC MOSFET

芯干线 SiC MOSFET 覆盖 650V-1700V 电压区间，具备高耐压、低导通电阻特性，适配新能源、储能等高压高频场景。

1700V 款(XM17001KT4)：1700V/5A，导通电阻 1.0Ω，兼顾高压小电流需求;

1200V 系列含多规格，如1XST120016SMC ，达 1200V/88A，导通电阻仅 16mΩ，支持超大功率场景;

650V 系列则有 X2M65020TL4 等型号，110A 大电流 + 22mΩ 低内阻，适配中大功率应用。

全系列通过不同电压、电流组合，匹配各类高压功率变换场景，助力设备高效低耗运行。

③功率半导体 — SIC SBD

SiC SBD具备零反向恢复、高压高频特性(1700V+)，开关损耗降85%;采用TO/DFN等分立封装;适配新能源车OBC、光伏逆变及充电桩，显著提升效率密度。

芯干线 SiC SBD 覆盖 650V、1200V 电压等级，兼具低正向压降与高电流耐受性，适配高效电源、工业电子等场景。

650V 系列提供多规格：

小封装款：如 XD065A0065， 650V/6A，DFN56 封装;

中功率款：如 XD6506F8，达 650V/22A，DFN88-4L 封装;

大功率款：如 XD065A020T4A，支持 650V/30A(@135℃)，TO-247-2 封装，浪涌电流达 160A;

1200V 款(XD120A020T4A)， 1200V/20A(@150℃)，TO-247-2 封装，浪涌电流 144A;

全系列通过不同封装与参数组合，满足多场景高效整流需求。

④功率半导体 — Si MOSFET

Si(硅)是目前全球应用最广泛的半导体材料，凭借成熟的制备工艺、优异的电学性能及丰富的自然资源，成为集成电路、分立器件等电子元件的核心基材。

芯干线 Si MOSFET，覆盖100V、150V、 650V 电压等级，导通电阻低、驱动简单、成本低、可靠性高，是中低压领域应用最广泛的功率开关器件。

100V 系列提供多规格：

TOLL封装款：如XUS010N1X3TL3，100V/325A/1.3mΩ;

TO-263封装款：如XUS010N003D2A，100V/180A/3mΩ;

150V系列同样提供多规格：

TOLL封装款：如XUS15004NTL4，150V/295A/3.9mΩ;

TO-263封装款：如XUS15004ND2A，150V/195A/4.2mΩ;

DFN5*6封装款：如XUS015N9X55，150V/60A/9.5mΩ;

TO-220封装款：如XUS015N004X4C，150V/180A/3.8mΩ;

650V 款(X2S65150D2)，650V/21A(@25℃)，TO-263封装，栅极总电荷32nC。

全系列通过不同封装与参数组合，满足多场景需求，100V/150V 低压型号，适用汽车电子、工业领域、消费电子等大电流低压设备。650V 中压型号，适用家电领域、新能源领域等中压中小功率设备。

⑤功率模块 — SIC Module

SiC Module 模块具有高压高频、高效低耗、高温运行等优势，能显著提升系统功率密度和可靠性。

芯干线SIC Module功率模块，提供650V、1200V两种电压区间，采用不同封装和不同电路拓扑，非常适用于中高压、大功率电力电子领域。

650V 款(XS060SPRB065N1)，60mΩ 导通电阻、PIM电路拓补、NI封装，比较适用于小型工业变频器、空调变频模块、光伏辅助电源等。

1200V款则涵盖多种规格，适用场景更广泛：

N6封装款：如XS003HB120N6，半桥电路拓补、3mΩ 导通电阻，适用新能源汽车主逆变器、大功率伺服驱动器、储能变流器。

D4封装款：如XS013SS120D4，单管电路拓补，13mΩ 导通电阻，适用高压电源模块、电网无功补偿设备。

N2封装款：如XS040SPRB120N2，PIM电路拓补，40mΩ 导通电阻，适用工业级 UPS 电源、风电变流器等。

⑥功率模块 — IGBT Module

IGBT模块是集MOSFET高速开关与GTR大电流优势于一体的功率半导体器件，具有高效节能、驱动简便、散热稳定等特点，广泛应用于新能源、轨道交通等领域。

芯干线IGBT Module功率模块，同样提供650V、1200V两种电压区间，采用不同封装和不同电路拓扑，适用于中压中功率设备及大功率工业设备、超大功率电力电子设备。

650V 款(XI50SPRB065N8S)：650V/50A，PIM电路拓补、N8封装，适用中压中功率设备，如空调变频模块、小型工业变频器、光伏逆变器辅助电源。

1200V款则涵盖多种规格，适用场景更广泛：

PIM 型号小电流：如XI15SPRB120N1S，1200V/15A，N2封装，适用于工业伺服驱动器、UPS 电源的辅助电路;

PIM 型号中 / 大电流：如XI100SPRB120N4S，1200V/100A，N4封装形式，适用于大功率工业设备，如风电变流器、储能变流器、高压电机控制器。

半桥型号：如XI900HB120N3L，达1200V/900A，N3封装，适用于超大功率电力电子设备，如新能源汽车主逆变器(高电压平台)、电网级 SVG(静止无功发生器)。

六单元型号：如XI800SP120A4S，达1200V/800A，N3封装，则适用于三相大功率系统，如高压变频器、船舶电力推进系统、轨道交通牵引变流器。

应用领域

移动出行

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的三代宽禁带半导体，凭耐高压、耐高温、高频高效特性变革移动出行功率电子系统。其应用于新能源汽车电驱主逆变器，可降损耗、提效率，增约 10% 续航并精简体积重量;赋能 800V 高压快充平台，大幅提升充电速度，破解续航与充电焦虑，是汽车电动化核心驱动力。

电动工具

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的三代宽禁带半导体，正重塑电动工具性能格局。SiC 器件高频高效的特性，能提升无绳电动工具电机转速与扭矩，延长续航;GaN HEMT 则凭借超高开关速度，打造小巧轻便的超快充充电器，20 分钟即可满电，大幅提升使用效率与便利性。

低空飞行

三代宽禁带半导体(碳化硅-SiC和氮化镓-GaN)功率器件凭借其耐高压、耐高温、高频高效的特性，在低空飞行器(如无人机和eVTOL)的电驱动系统中扮演着核心角色，显著提升了飞行器的性能与可靠性。

AI算力

三代宽禁带半导体(尤其是碳化硅-SiC和氮化镓-GaN)功率器件，以其耐高压、耐高温、高频高效的特性，正成为提升AI算力基础设施能源效率的关键。

能源与动力

碳化硅(SiC)器件与硅基 IGBT 模组是现代能源电力电子核心。SiC 凭高频高效耐高温特性，革新光伏、新能源车等领域，降本增效;IGBT 模组性价比突出，主导大功率场景。二者长期互补，助力电力系统升级，是 “双碳” 战略重要技术支撑。

消费电子

在消费电子技术迭代中，硅(Si)、碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)三类半导体材料各展所长，共同推动产品升级。其中，传统硅基器件凭借成熟工艺和成本优势，长期支撑消费电子基础电路运行，是行业发展的基石。

海洋电子

三代半导体(碳化硅 SiC、氮化镓 GaN)功率器件，凭借高功率密度、高效率、高可靠性，在海洋电子领域应用前景广阔。它们可提升船舰动力、深海勘探设备等的能源效率，降低散热需求，增强海洋恶劣环境适应性，助力设备小型轻量化，还能支撑海上风电等新能源电力转换传输及岸基 / 船基充电，为海洋资源开发提供先进电子硬件保障。

发展历程

2020年10月

公司在苏州成立

2021年4月

深圳办公室正式开业

2021年7月

第一批氮化镓批量出货

2021年11月

公司总部乔迁南京总部基地

2021年12月

SIC MOSFET批量出货

2022年4月

获评“中国中小企业成长标杆企业”称号

2022年12月

SIC MOSFET批量出货突破2KK，GaN出货1KK

08

2023年1月

荣获“中国GaN功率器件十强”称号

2023年1月

进入国内电驱主驱前五供应商目录

2023年2月

获得功率器件行业新锐奖、SIC行业优秀奖

2023年11月

取得《ISO9001:2016质量管理体系认证》资质证书

2023年12月

2023年12月，通过国家高新技术企业认证

2024年4月

进入全球头端数据中心供应商供应链白名单

2024年5月

IATF16949生产质量体系认证

2024年6月

联合瑞萨半导体签订战略合作协议，共建三代半数字电源实验室

2024年6月

进入国内头部汽车主机厂供应商目录

2024年7月

盐城模块封装厂量产

2024年12月

荣获“2024年第三代半导体应用推动突破奖”

2025年3月

在 2025 年度“中国IC设计成就奖颁奖典礼”上，芯干线凭借氮化镓功率模块X3G65045HMB(650V/45mΩ/半桥模块)脱颖而出，荣获「年度最佳功率器件 / 宽禁带器件」奖项。

2025年3月

亮相美国APEC展，产品和技术获得国际市场用户认可。

2025年7月

提前圆满完成2025年全年销售目标!

2025年8月

芯干线&瑞萨电子携手亮相“elexcon2025深圳国际电子展”参展。

2025年10月

成功斩获 “2025 年江苏省潜在独角兽企业”与 “2025 年创新型中小企业” 双重荣誉认证。

2025年12月

斩获“第三代半导体市场开拓领航奖”，市场开拓实力获产业高度认可。

2025年12月

凭硬核技术拿下电源行业GaN技术突破奖。

关于芯干线

芯干线科技是一家由功率半导体资深海归博士、电源行业市场精英和一群有创业梦想的年轻专业人士所创建宽禁带功率器件原厂。2022年被评为规模以上企业，2023年国家级科技型中小企业、国家级高新技术企业，通过了ISO9001生产质量管理体系认证。在2024年通过了IATF16949汽车级零部件生产质量管理体系认证。

公司自成立以来，深耕于功率半导体GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模块的研发和销售。产品被广泛应用于海洋电子、移动出行、电动工具、低空飞行、消费电子、Ai算力等能源电力转换与应用领域。

公司总部位于南京，分公司遍布深圳、苏州、江苏、浙江等国内多地，并延伸至北美与台湾地区，业务版图不断拓展中。