半导体芯片键合技术概述

文章来源：Semika

原文作者：Semika

本文主要讲述半导体芯片键合技术。

键合是芯片贴装后，将半导体芯片与其封装外壳、基板或中介层进行电气连接的工艺。它实现了芯片与外部世界之间的信号、电源和接地连接。键合是后端制造中最关键的步骤之一，因为互连质量直接影响器件的可靠性、性能和可扩展性。

工艺概述

目的：建立从芯片焊盘到封装或板级互连的稳健电气通路。

方法：引线键合、倒装芯片键合，以及先进互连技术(硅通孔TSV、微凸点、混合键合)。

流程：在芯片贴装后执行;键合之后是封装和最终测试。

选择范围：技术选择取决于器件复杂度、I/O密度、性能要求和成本目标。

键合方法

洁净室与环境要求

在1000级或更低洁净度的洁净室中进行。

引线键合需要机械稳定性和振动控制。

倒装芯片和先进键合通常需要氮气或真空环境，以防止回流过程中的氧化。

优势与局限性

优势：支持各类器件的电气和热集成;从低成本引线键合到尖端3D互连，方法具备可扩展性。

局限性：成本、性能和I/O密度之间存在权衡;先进键合需要生态系统级的标准化和投资。