森国科创新推出PDFN8*8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管

森国科最新推出的采用PDFN8*8封装并结合Cu-Clip（铜带）连接技术的碳化硅二极管，代表了公司在功率半导体封装技术领域的重要创新。这一创新解决方案针对高功率密度和高效率应用需求，通过优化封装结构和互连工艺，显著提升了产品性能。

01 PDFN8*8封装技术的核心优势

PDFN8*8封装作为一种紧凑型表面贴装技术，在功率半导体领域具有显著优势。这种封装尺寸仅为8mm x 8mm，比传统TO-220封装节省了约70%的安装空间，非常适合空间受限的高功率密度应用场景。

与更大尺寸的封装相比，PDFN8*8的低外形设计有助于减小布板面积，提高功率密度。这种封装还具有优异的热性能，通过底部大面积裸露焊盘，能有效将芯片产生的热量传导至PCB板，并散发到周围环境中。

02 Cu-Clip互连技术的革命性突破

Cu-Clip（铜带）互连技术是森国科此次创新的另一大亮点。与传统键合线技术相比，Cu-Clip技术通过扁平铜带替代传统的铝线或金线，实现了芯片与引脚之间的面接触连接。这一技术显著降低了封装内部的寄生电感，有助于减少开关损耗和电压过冲。传统键合线结构的寄生电感通常在几十nH，而Cu-Clip技术能将这一值降低至十几nH，从而提升高频开关性能。

Cu-Clip技术还改善了电流流动路径，显著降低了导通电阻。铜材料的高电导率和热导率使芯片能够承受更高的电流密度，同时提高散热效率，使器件能够在更高温度下可靠工作。

03 PDFN8*8 & Cu-Clip双重技术结合的协同效应

PDFN8*8封装与Cu-Clip技术的结合产生了显著的协同效应。这种组合充分发挥了碳化硅材料本身的优异特性——碳化硅的禁带宽度达3.2eV，击穿场强是硅的10倍，热导率也是硅的3倍。

--在热性能方面，Cu-Clip技术提供了优异的垂直散热路径，而PDFN8*8封装的底部散热焊盘则增强了水平方向的散热能力。双重散热机制确保了芯片结温保持在较低水平，提高了可靠性并延长了使用寿命。

--电性能方面，低寄生参数与紧凑封装布局相结合，使这款碳化硅二极管特别适合高频开关应用。测试数据显示，采用这种封装组合的碳化硅二极管开关损耗比传统硅基快恢复二极管降低约90%，效率提升显著。

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

森国科碳化硅产品线为650V、1200V 和碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。

森国科功率IC采用先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片，已经大规模量产中低压系列，即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面，成功推出了单相BLDC散热风扇电机系列和三相BLDC电机驱动系列。

森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司！