一、订单核心工艺参数
本订单交付的IC测试模组半成品,采用以下关键工艺实现,各项指标均满足客户对高密度测试载体的技术要求:
长连排IC PAD:采用线宽4mil、PAD尺寸3mil的长连排布局,PAD尺寸偏差控制在±0.2mil以内。
精密布线:实现线宽/线距最小3mil的多层高密度走线,阻抗偏差控制在±5%以内。
表面处理:采用沉金+局部软电混合工艺,沉金层厚度控制在0.05-0.1μm,软电区域延伸率>15%。

二、关键工艺能力详解
1.长连排4/3mil IC PAD制造能力
适配场景:本订单针对多引脚窄间距IC的测试需求,采用长连排PAD布局,需满足探针的精准接触与信号稳定传输。工艺实现:
采用激光直接成像(LDI)设备进行高精度曝光,分辨率达2μm,确保PAD图形的精细还原。
优化蚀刻液配比与蚀刻速率,结合在线AOI检测,实现长连排PAD的尺寸均匀性达99.5%以上,避免因PAD偏差导致探针接触不良。
采用微蚀处理提升PAD表面粗糙度,增强后续镀层结合力,保障测试过程中的电气稳定性。
2.高密度精密布线能力
适配场景:本订单模组需承载多通道高频测试信号,布线密度直接决定模组的小型化与信号完整性。工艺实现:
基于客户DFM需求,采用分层阻抗仿真设计,对差分对、高速信号走线进行优化,降低串扰与信号损耗。
通过LDI曝光与干膜显影工艺,实现最小3mil线宽/线距的精细布线,在有限基板面积内完成多通道信号链路布局。
采用接地屏蔽层设计,对高频信号走线进行隔离,保障10Gbps以上信号传输的完整性。
3.沉金+局部软电混合工艺能力
适配场景:本订单模组需同时满足探针接触的耐磨性与局部区域的耐弯折性,单一表面处理无法兼顾。工艺实现:
采用局部阻镀工艺,精准划分沉金区域与软电区域,通过预镀镍层优化界面结合力,避免镀层脱落。
沉金区域控制镀层厚度在0.05-0.1μm,保障探针耐磨寿命>10万次,满足高频次测试需求。
软电区域采用特殊电镀配方,提升镀层延伸率至>15%,增强模组在复杂测试场景下的抗疲劳能力。
三、本订单制造保障
产线配置:本订单由一厂(样品/小批量/特种工艺产线)完成,配备LDI、AOI、阻抗测试仪等高精度设备,保障工艺精度与稳定性。
制程管控:关键工序采用SPC统计过程控制,对蚀刻速率、镀层厚度等参数进行实时监控,确保制程能力指数CPK≥1.33。
交付周期:从订单接收至半成品交付仅需2天,体现小批量特种订单的快速响应能力。
审核编辑 黄宇
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