量产！国产垂直BCD工艺重要突破，稳先微高边开关芯片实现双重自主化

开篇：国产工艺新进展，稳先微垂直 BCD 高边开关量产落地

据悉，专精特新 “小巨人” 企业稳先微电子近期实现重要突破 —— 基于100% 国产化垂直 BCD 工艺的车规级高边开关 WSD9008 正式量产。这款芯片的Rsp（比导通电阻）性能参数达到 11 mΩ·mm² ，优于全球市场多数同类产品。

在国内汽车电子高边开关市场规模持续增长、国产化需求稳步攀升的背景下，该产品的量产不仅有助于完善国产高端车规级高边开关的产品序列，更保障这一关键器件供应链的 自主、安全与可靠 。

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核心突破：垂直BCD工艺平台的创新性集成

根据市场反馈，稳先微第二代全国产的平面BCD工艺高边产品已陆续上车，本次我们了解到的垂直BCD工艺高边产品被定义为“稳先微第三代高边产品”，历经工艺突破和稳先微在该领域的技术积累，当前样品的性能参数可对标海外头部企业。

它将平面BCD工艺的高精度控制与垂直SGT工艺的大功率处理能力，融合于同一片N型硅衬底之上，这实现了功率开关与智能控制电路在单晶圆层面的高度集成。

技术解构：该工艺在N型硅衬底上，同步构建并互联了SGT（屏蔽栅沟槽）结构、双极性晶体管、CMOS逻辑电路和高压LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件。

这种单晶圆融合技术，使WSD9008得以在同一颗芯片上，同时获得SGT结构的优异功率密度和高鲁棒性，以及平面BCD的精密信号处理和高稳定性。

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性能验证：用实测数据体现工艺价值

工艺创新的价值，需要通过性能数据来兑现。对于功率开关芯片而言，比导通电阻（Rsp） 是衡量其能效水平的关键指标之一，数值越低代表导通损耗越小、效率越高。

第三代WSD9008样品测试数据

WSD9008的Rsp典型值低至11 mΩ·mm² 。这一数据处于行业领先水平。作为对比，采用CMT8工艺的同类产品Rsp约为17 mΩ·mm²， SMART7工艺的标杆产品Rsp也在12 mΩ·mm²左右。

这组数据表明，稳先微的自主工艺平台已具备相当的先进性，国产芯片在核心性能参数上已达到国际主流产品水平。更低的导通损耗有助于提升系统能效并减少热累积，从而支持终端产品实现更高的可靠性与更长的使用寿命。

阻性、感性、容性 相关测试波形

阻性负载

VS=13V，IN=5V@1KHz，Duty=50%，R ~LOAD~ =4ohm

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

容性负载

VS=13V，IN=5V@1s，C ~LOAD~ =1mF，R ~LOAD~ =1.3ohm

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

卤素灯负载

VS=16V，IN=5V@1s，LOAD：H9（12V/65W）

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

感性负载

VS=13V，IN=5V@1.5ms，L ~LOAD~ =6mH

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

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应用落地：满足高可靠性场景要求

基于先进的底层工艺，WSD9008具备了满足严苛应用要求的特性。该芯片支持 4V至28V的宽范围输入电压 ，并能承受高达40V的抛负载瞬态电压冲击。能够适应汽车环境中常见的冷启动、负载突降等极端电源工况，符合车规级应用要求。

在安全性方面，WSD9008集成了过流保护、短路自关断、过热关断及** [可选：欠压锁定]** 等全套诊断保护功能。通过 多路复用模拟信号反馈 机制，可实时将负载电流、芯片温度等关键状态转化为模拟电压信号输出。

这一设计使得系统主控制器无需复杂的外围电路，即可实现对功率状态的监控与故障诊断，从而简化了系统设计，并有助于提升整体可靠性。

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产业意义：助力产业链自主化进程

稳先微垂直BCD工艺产品的量产，其意义超越单一芯片的上市。它标志着国产垂直BCD工艺平台已从技术研发阶段走向成熟商用，初步实现了从芯片设计、工艺制造到封装测试的全链条本土化贯通。

对于整车厂商及零部件供应商，尤其是正处于快速发展的国产汽车产业而言，这意味着在一颗关键的车规级核心功率器件上，多了一个从“有”到“优”、且供应安全自主的可选项。这为提升国内汽车产业链在该领域的自主性与韧性，提供了实质性的技术支撑。

产品选型表

据稳先微品牌部透露，目前稳先微第二代和第三代高边产品同步开启全型号的量产计划，全新的自主可控可靠的国产高边开关产品将于本年Q2季度陆续上市。

未来，稳先微计划基于这一自主工艺平台，进一步拓展智能熔断器、固态继电器等亟待突破的产品市场。