电子说
在电子工程师的日常设计工作中,运算放大器是不可或缺的基础元件。今天,我们要深入探讨的是Analog Devices公司的OP193/OP293精密微功耗运算放大器,它在众多领域展现出了卓越的性能。
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OP193/OP293是单电源运算放大器,具有高精度、低电源电流和低电压工作的特点。其输入和输出范围包含地,输出可从负轨摆动到正电源600mV以内。该放大器可在+1.7V至±18V的电源电压下工作,低电流消耗和低电压操作使其在电池供电设备中表现出色。它被指定用于单+2V至双±15V的操作,工作温度范围为−40°C至+125°C,采用SOIC表面贴装封装。
根据前面提到的特性,可以推测其应用领域如下:
文档中给出了在(V{S}= pm 15.0 V)、(V{S}=5.0 V)、(V{S}=3.0 V)和(V{S}=2.0 V)等不同电源电压下的电气特性参数。以(V{S}= pm 15.0 V)为例,在E级和F级中,输入失调电压(Offset Voltage)方面,OP193的典型值在150 μV - 250 μV之间,最大为350 μV;输入偏置电流(Input Bias Current)在−40°C ≤ (T{A}) ≤ +125°C的范围内为20 nA。这些参数反映了放大器在该电源电压下的输入特性,对于电路设计中的误差分析和信号处理非常重要。
OP193/OP293的输入级采用PNP晶体管,允许输入信号降至地电位,并且在基极串联了电阻以保护结免受过压影响。输出级是一个非反相NPN图腾柱结构,能够为负载提供最小5 mA的电流。这种设计使得放大器在单电源3.0 V供电时也能正常工作,输出能够接近地电位。
当驱动小于200 pF的容性负载时,OP193/OP293是无条件稳定的。如果添加一个电阻性负载,小信号单位增益过冲会得到改善。对于大容性负载的单位增益配置,建议采用环路补偿技术,以确保放大器的稳定性和信号质量。
通过采用PNP输入级和串联保护电阻,OP193/OP293能够承受输入电压超过电源20 V而不损坏,为电路提供了可靠的保护。
OP193/OP293可以在最低1.7 V的电源电压下工作,从2.0 V电源中每个放大器仅消耗13 μA的电源电流。在许多电池供电的电路中,能够连续工作数千小时,减少了设备的停机时间和运营成本。以锂电池为例,其标称输出电压为3 V,且具有平坦的放电特性,OP193/OP293可以在电池的整个使用寿命内正常工作。
通过使用电压分压器和放大器缓冲,可以创建一个假地参考,其电压为电源电压的一半。该电路从5 V电源中仅消耗约27 μA的电流,并且在假地输出端添加了1 μF的旁路电容进行补偿,能够提供低直流电阻和低交流阻抗,同时OP193能够吸收和提供超过5 mA的电流,提高了负载电流瞬变的恢复时间。
基于Brokaw带隙核心技术设计的电池供电电压基准电路,仅消耗17 μA的电源电流。两个AA碱性电池可以为该基准供电超过18个月。在25°C时输出电压为1.23 V,在工业温度范围内的漂移仅为5.5 μV/°C,负载调节率为85 μV/mA,线调节率为120 μV/V。通过短路引脚5可以确保可靠启动,同时不会显著降低OP193的失调漂移。
该电路的分辨率为10 μA,能够监测30 mA的电流。通过改变电流感测电阻R1可以调整监测范围。在测量系统总电流时,需要考虑电流监测器的电源电流,并通过调整失调微调电位器R2进行校准。
传统的单电源仪表放大器设计存在一些问题,如输出误差会被放大、负载电流会导致增益误差等。改进后的设计采用了N沟道FET晶体管作为电流镜,提供A1的吸收电流,减少了额外的负载电流,更适用于低功耗应用。
该变送器在−50°C至+150°C的温度范围内精度可达±0.5°C,工作电压范围为8 V至40 V,电源抑制比优于3 ppm/V。通过调整跨度微调(span trim)和零微调(zero trim)可以进行校准,且两者互不影响,简化了校准过程。
由OP293和CMOS模拟开关组成的精密VCO电路,能够提供三角形和方形波输出,从单5 V电源中仅消耗50 μA的电流。通过改变电容C1可以轻松改变振荡器的频率,该电路在高达500 Hz的频率下工作良好。
OP193/OP293精密微功耗运算放大器凭借其出色的特性、广泛的应用领域和丰富的应用电路设计,为电子工程师提供了一个强大而可靠的选择。在设计过程中,我们需要充分考虑其电气特性、功能特点和应用电路的要求,以确保设计出高性能、稳定可靠的电子系统。大家在实际应用中有没有遇到过类似运算放大器的其他问题呢?欢迎一起交流探讨。
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