电子说
在电子工程领域,选择合适的驱动器对于确保系统的稳定运行至关重要。今天,我们将深入探讨意法半导体(ST)推出的VN808-E和VN808-32-E八通道高端驱动器,了解它们的特点、性能参数以及应用场景。
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VN808-E和VN808-32-E是采用意法半导体VIPower M0 - 3技术实现的单片器件,旨在驱动一侧接地的各种负载。它们具有多种保护功能,能够有效应对过载、过热等问题,非常适合符合IEC 61131标准的工业应用。
| 型号 | RDS(on)(每通道) | IOUT | VCC |
|---|---|---|---|
| VN808 - E | 150 mΩ | 0.7 A | 45 V |
| VN808 - 32 - E | 150 mΩ | 1 A | 45 V |
从参数上可以看出,VN808 - 32 - E在输出电流方面表现更优,能够满足对电流要求较高的负载。
具备VCC/2兼容输入,这使得它在与其他电路进行接口时更加灵活,能够适应不同的输入信号要求。
极低的待机电流有助于降低系统功耗,提高能源效率。
符合IEC 61000 - 4 - 4测试标准,能够承受高达4 kV的静电放电,具有良好的抗干扰能力。
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCC(直流电源电压) | - | 45 | V | ||
| -IGND(直流接地反向电流) | - | 250 | mA | ||
| TRAN(接地反向电流,脉冲持续时间 < 1 ms) | - | 6 | A | ||
| IOUT(直流输出电流) | 内部限制 | - | A | ||
| -IOUT(反向直流输出电流) | - | 5 | A | ||
| IIN(直流输入电流) | ±10 | mA | |||
| VIN(输入电压范围) | -3/+VCC | V | |||
| VESD(静电放电) | R = 1.5K Ω; C = 100pF | 2000 | V | ||
| PTOT(Tc = 25°C时的功耗) | - | 10 | W | ||
| EAS(单脉冲雪崩能量,所有通道同时驱动,Tamb = 125 °C,IOUT = 0.6 A/通道) | - | 1.15 | J | ||
| TJ(结工作温度) | 内部限制 | - | °C | ||
| Tc(外壳工作温度) | 内部限制 | - | °C | ||
| TSTG(存储温度) | -40 to 150 | °C |
| 在VCC = 24 V的条件下,开关时间和电压斜率等参数表现如下: | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| tON(导通时间) | RL = 48 Ω,从80% VOUT | - | 50 | 100 | µs | |
| tOFF(关断时间) | RL = 48 Ω,到10% VOUT | - | 75 | 150 | µs | |
| dVOUT/dt (ON)(导通电压斜率) | RL = 48 Ω,从VOUT = 2.4 V到VOUT = 19.2 V | - | 0.7 | - | V/µs | |
| dVOUT/dt (OFF)(关断电压斜率) | RL = 48 Ω,从VOUT = 21.6 V到VOUT = 2.4 V | - | 1.5 | - | V/µs |
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VINL(输入低电平) | - | - | - | VCC / 2 - 1 | V |
| IINL(低电平输入电流) | VIN = VCC / 2 - 1 V | 80 | - | 650 | µA |
| VINH(输入高电平) | - | VCC / 2 + 1 | - | - | V |
| IINH(高电平输入电流) | VIN = VCC / 2 + 1 V | - | 150 | 260 | µA |
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| TCSD(外壳关断温度) | - | 125 | 130 | 135 | °C |
| TCR(外壳复位温度) | - | 110 | - | - | °C |
| TCHYST(外壳热滞) | - | 7 | - | 15 | °C |
| TJSD(结关断温度) | - | 150 | 175 | 200 | °C |
| TR(结复位温度) | - | 135 | - | - | °C |
| THYST(结热滞) | - | 7 | - | 15 | °C |
| IPEAK(限制前的最大直流输出电流) | VCC = 24 V; RLOAD = 10 mΩ | 1.1(VN808 - E) | 2.6 | A | |
| ILIM(每通道直流短路电流限制) | VCC = 24 V; RLOAD = 10 mΩ | 1(VN808 - 32 - E) | 1.7 | A | |
| VDEMAG(关断输出钳位电压) | IOUT = 0.5A; L = 6 mH | VCC - 57 | VCC - 52 | VCC - 47 | V |
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IHSTAT(STATUS引脚高电平电流) | VCC = 18 to 32 V; RSTAT = 1kΩ(故障条件) | 2 | 3 | 4 | mA |
| ILSTAT(STATUS引脚泄漏电流) | 正常工作; VCC = 32V | 0.1 | - | - | μΑ |
该器件具有多个引脚,包括电源引脚(VCC)、输入引脚(IN1 - IN8)、输出引脚(OUT1 - OUT8)、状态引脚(STATUS)和接地引脚(GND)等。每个引脚都有其特定的功能,在设计电路时需要正确连接。
图5展示了一个应用示例,包括用于总线电感效应的滤波器、EMC滤波器、浪涌测试保护和电流注入测试保护等。通过合理的电路设计,可以确保器件在不同的应用场景下稳定工作。
器件的热阻抗参数对于散热设计非常重要。结到外壳的热阻(Rth(JC))为1.3 °C/W,结到环境的热阻(Rth(JA))在特定条件下为17 °C/W。在实际应用中,需要根据这些参数来设计散热方案,确保器件在合适的温度范围内工作。
为了防止电源极性接反对器件造成损坏,可以采用两种反向极性保护方案:
提供PowerSO - 36封装,符合不同等级的ECOPACK®环保标准。详细的封装机械数据包括尺寸、公差等信息,在设计PCB时需要参考这些数据来确保器件的正确安装。
支持管装和卷带包装两种运输方式,不同包装方式有各自的机械数据和基本数量、批量数量等信息。在采购和使用时,需要根据实际需求选择合适的包装方式。
VN808-E和VN808-32-E八通道高端驱动器凭借其丰富的保护功能、良好的电气特性和灵活的输入兼容性,为工业应用提供了可靠的解决方案。在选择使用时,工程师需要根据负载的要求、工作环境等因素综合考虑,合理设计电路,以充分发挥其性能优势。你在实际应用中是否遇到过类似驱动器的选型和设计问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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