TPS51116-EP DDR 同步降压控制器

KANA 发表于 2018-11-02 18:52:06

数据：完整DDR，DDR2，DDR3 和LPDDR3 存储器电源解决方案同步降压控制器，3A 低压降稳压器(LDO)，经缓冲基准数据表 (Rev. A)

描述

TPS51116为DDR /SSTL-2，DDR2 /SSTL-18，DDR3 /SSTL-15和LPDDR3内存系统提供一个完整的电源。它集成了TPS51116在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本.TPS51116同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频400kHz，伪恒定频率脉宽调制（PWM），此控制可在D-CAP模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器.1.1灌电流/拉电流LDO仅需20μF（2×10μF）陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗.TPS51116支持所有睡眠状态控制，此类控制在S3（挂起到RAM）中将VTT置于高Z状态并且在S4 /S5（挂起到硬盘）中将VDDQ，VTT和VTTREF（软关闭）放。TPS51116具有所有保护特性，其中包括热关断并采用20引脚散热薄型小外形尺寸（HTSSOP）将PowerPAD封装。

特性

同步降压控制器（VDDQ）
- 宽输入电压范围：3.0V至28V
- 负载阶跃响应为100ns的D-CAP™模式
- 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
- 支持S4 /S5状态内的软关闭
- R _{DS（接通）}或电阻器的电流感测
- 2.5V（DDR），1.8V（DDR2），可调节至
  1.5V（DDR3）或1.2V（LPDDR3）或
  0.75V至3.0V的输出电压范围
- 配备有电源正常，过压保护和欠压保护
1A LDO（VTT），经缓冲基准（VREF）
- 灌电流和拉电流的能力达到1A
- 提供LDO输入以优化功率损耗
- 只需20μF陶瓷输出电容器
- 经缓冲的低噪声10mA VREF输出
- 针对VREF和VTT的±20mV精度
- 在S3中支持高阻抗（high-Z），在S4 /S5中支持软关闭
- 过热保护

参数与其它产品相比 DDR 存储器电源产品


DDR Memory Type
Iout VTT (Max) (A)
Iq (Typ) (mA)
Output
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Regulator Type
Vout VTT (Min) (V)

TPS51116-EP
DDR DDR2 DDR3 DDR3L DDR4 LPDDR2 LPDDR3
3
0.8
VDDQ VREF VTT
3
28
Complete Solution Shutdown Pin for S3
HiRel Enhanced Product
-55 to 125
HTSSOP
20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP)
Step-Down Controller Plus LDO
0.6

技术文档

数据手册（1）

完整DDR，DDR2，DDR3 和LPDDR3 存储器电源解决方案同步降压控制器，3A 低压降稳压器(LDO)，经缓冲基准数据表 (Rev. A)

TPS51116-EP DDR 同步降压控制器

描述

特性

参数 与其它产品相比 DDR 存储器电源产品

技术文档

参数与其它产品相比 DDR 存储器电源产品