TPS51216-EP以最低的总成本和最小的空间为DDR2，DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压稳压控制器（VDDQ）和2A吸收/源跟踪LDO（VTT）和缓冲低噪声参考（VTTREF）。 TPS51216-EP采用D-CAP模式，耦合300 kHz /400 kHz频率，易于使用和快速瞬态响应。 VTTREF可在0.8％的精度范围内跟踪VDDQ /2。 VTT提供2-A吸收/源极峰值电流能力，仅需要10μF的陶瓷电容。此外，还提供专用的LDO电源输入。
TPS51216-EP提供丰富的实用功能和出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VTT置于高阻态，并在S4 /S5状态下将VDDQ，VTT和VTTREF（软关断）放电。
可编程OCL具有低端MOSFET R DS（on）检测，OVP /UVP /UVLO和热关断保护。
TPS51216 -EP采用20引脚，3 mm×3 mm，WQFN封装，额定温度范围为-55°C至125°C。
| DDR Memory Type |
| Iout VTT (Max) (A) |
| Iq (Typ) (mA) |
| Output |
| Vin (Min) (V) |
| Vin (Max) (V) |
| Features |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Regulator Type |
| Vout VTT (Min) (V) |
| TPS51216-EP | TPS51216 |
|---|---|
| DDR DDR2 DDR3 DDR3L LPDDR2 LPDDR3 | DDR DDR2 DDR3 DDR3L DDR4 LPDDR2 LPDDR3 |
| 2 | 2 |
| 0.6 | 0.6 |
| VDDQ VREF VTT | VDDQ VREF VTT |
| 3 | 3 |
| 28 | 28 |
| Shutdown Pin for S3 | Complete Solution Eco Mode S3/S5 Support |
| HiRel Enhanced Product | Catalog |
| -55 to 125 | -40 to 85 |
| WQFN | WQFN |
| 20WQFN: 9 mm2: 3 x 3(WQFN) | 20WQFN: 9 mm2: 3 x 3(WQFN) |
| Step-Down Controller Plus LDO | Step-Down Controller Plus LDO |
| 0.6 | 0.6 |
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