TPS7H3301-SP TPS7H3X01 灌/拉 DDR 终端稳压器

• QML V类符合5962-14228 ^{（1）（2）}
  • 总电离剂量为100krad（Si）
    • 高剂量率（HDR）（50-100 rad（Si）/s）
    • 低剂量率（LDR）（0.01 rad（Si）/s）
  • 单粒子锁定（SEL），单粒子栅穿（SEGR），单粒子烧毁（SEB）对于线性能量传输（LET）的抗扰度= 65MeV- cm ² /mg
  • 单粒子瞬变（SET），单粒子功能中断（SEFI），单粒子翻转（SEU）的抗扰度为65MeV-cm ² /mg（详细信息请参见）
• 支持DDR，DDR2，DDR3，DDR3LP和DDR4终端应用并兼容JEDEC标准
< li>输入电压：支持2.5V和3.3V电源轨^（3）
• 独立低电压输入（VLDOIN）降至
  0.9V以改善电源效率^（3）
• 具有压降补偿功能的3A灌电流/拉电流终端稳压器
• 用于电源排序的使能输入和电源正常输出
• VTT终端稳压器
  • 输出电压范围：0.5V至1.75 V
  • 3A灌电流和拉电流
  • 精度为±20mV
• 具有感测输入的精密集成分压器网络
• 远程感测（VOSNS）
• VTTREF缓冲参考输出
  • 精度为VDDQ /2±1％
  • ±10mA灌/拉电流
• 集成了内置软启动（SS），欠压锁定（UVLO）以及过流限制（OCL）功能

应用

• 采用DDR，DDR2，DDR3和低功耗DDR3和DDR4存储器的单电路板计算机，固态记录器和载荷应用
• 超快速瞬态电源应用
• 支持军用温度范围（-55°C至125°C）
• 提供工程评估（/EM）组件^（4）

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