数据: Series 24 And 28 Standard And Low Power Programmable Read-Only Memories 数据表
24和28系列单片TTL可编程只读存储器(PROM)具有扩展的标准和低功耗PROM选择。这种扩展的PROM系列为系统设计人员提供了升级现有设计或优化新设计的极大灵活性。所有系列产品均采用经过验证的钛钨(Ti-W)熔丝链和低电流MOS兼容p-n-p输入,采用通用编程技术,可对每个链路进行20微秒脉冲编程。
4096位和8192位PROM提供各种封装,范围从18引脚300 mil宽到24引脚600 mil宽。 16,384位PROM提供两倍于8192位PROM的位密度,采用24引脚600 mil宽封装。
所有PROM都提供存储在每个位位置的逻辑高电平输出电平。编程过程将在Ti-W金属链路中产生开路,从而反转所选位置的存储逻辑电平。该程序是不可逆转的;一旦改变,该位的输出就被永久编程。从未改变过的输出可能会被编程为提供相反的输出电平。在推荐的操作条件下操作本机不会改变存储器内容。
芯片选择输入(S或S \)的有效电平使能所有输出。任何芯片选择输入的无效电平都会导致所有输出处于三态或关闭状态。
收藏
评论(0)
参与评论
分享到