数据: 双FET 总线开关2.5V/3.3V 低压高带宽总线开关 数据表
一般高带宽FET总线开关导通状态电阻(r on )。低平导通状态电阻可实现最小传播延迟,并且支持数据输入/输出(I /O)端口上的轨到轨切换。此器件还SNTSCB3Q3306A提供非常适合于宽带通信,网络互联,以及数据密集型计算系统的特有低数据I /O电容,以及最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失真。经优化的接口解决方案。
SN74CB3Q3306A可组成两个1位开关,此开关具有分离输出使能(1 OE , 2< span style =“ text-decoration:overline“> OE 为低电平时,相关1总线开关打开,并且A端口被连接至B端口,从而实现两个端口之间的双向数据流。当 OE 为高电平时,相关1位总线开关关闭,并且在A与B端口之间存在高阻抗状态。
该器件完全符合使用I off 的部分断电应用的规范要求。 sub> off 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。
为了确保加电或断电期间的高阻抗状态, OE 应通过一个上拉电阻器被连接至V CC ;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。
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