CSD17308Q3 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

KANA 发表于 2018-11-02 18:38:06

数据： CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 数据表

描述

这款30V，8.2mΩ，3.3 mm×3.3 mm VSON NexFET功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗，并针对5- V门驱动应用。

顶视图对于所有可用封装，请参见数据手册末尾的可订购附录。当安装在1英寸²（6.45cm ²），2盎司时，典型的R _θJA = 46℃/W. （0.071 mm厚）Cu焊盘位于0.06英寸（1.52 mm）厚的FR4 PCB上.Max R _θJC = 4.5°C /W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1％。

特性

针对5 V栅极驱动器进行了优化

超低Q _g和Q _gd

低热阻

雪崩额定

无铅端子电镀

符合RoHS标准

无卤素

VSON 3.3 mm×3.3 mm塑料封装

应用

笔记本电脑负载点
负载点同步降压网络，电信和计算系统

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD17308Q3	CSD17301Q5A	CSD17302Q5A	CSD17303Q5	CSD17304Q3	CSD17305Q5A	CSD17306Q5A	CSD17307Q5A	CSD17309Q3	CSD17310Q5A	CSD17311Q5	CSD17312Q5	CSD17313Q2	CSD17322Q5A	CSD17327Q5A
30	30	30	30	30	30	30	30	30	30	30	30	30	30	30
Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single
11.8	3	9	2.6	8.8	3.6	4.2	12.1	6.3	5.9	2.3	1.7	32	12.4	15.5
78	181	104	200	88	181	155	92	112	134	200	200	20	104	85
3.9	19	5.4	18	5.1	14.1	11.8	4	7.5	8.9	24	28	2.1	3.6	2.8
0.8	4.3	1.2	4	1.1	3	2.4	1	1.7	2.1	5.2	6	0.4	1.1	0.8
SON3x3	SON5x6	SON5x6	SON5x6	SON3x3	SON5x6	SON5x6	SON5x6	SON3x3	SON5x6	SON5x6	SON5x6	SON2x2	SON5x6	SON5x6
10	10	10	10	10	10	10	10	10	10	10	10	10	10	10
1.3	1.1	1.2	1.1	1.3	1.1	1.1	1.3	1.2	1.3	1.2	1.1	1.3	1.6	1.6
50		87		60			73	60					87	65
50	100		100	60				60	100	100	100	5
Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 数据表

CSD17308Q3 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

描述

特性

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

技术文档

CSD17308Q3 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管