电子说
在LED驱动领域,高功率、高性能的驱动芯片一直是工程师们追求的目标。Maxim Integrated的MAX16821A/MAX16821B/MAX16821C系列PWM LED驱动控制器,以其卓越的性能和丰富的功能,为高功率同步HBLED驱动提供了理想的解决方案。
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MAX16821A、MAX16821B和MAX16821C采用紧凑的封装,仅需少量外部组件,就能提供高输出电流能力。它们适用于同步和非同步的降压(buck)、升压(boost)、降压 - 升压(buck - boost)、SEPIC和Cuk等多种LED驱动拓扑结构。通过逻辑输入(MODE),可以在同步降压和升压模式之间切换。这系列芯片是专门为适应共阳极HB LED而设计的高功率驱动器。
能够提供高达30A的输出电流,满足高功率LED的驱动需求。这使得它在需要高亮度照明的应用中表现出色,如前投影仪、背投电视、便携式和口袋投影仪以及LCD电视和显示器背光等。
采用平均电流模式控制技术,允许使用具有最佳电荷和导通电阻品质因数的MOSFET,即使在输出高达30A的LED电流时,也能最大限度地减少对外部散热的需求。这种控制方式还能有效减少组件降额和尺寸,提高系统的稳定性和效率。
提供精确的LED电流控制。通过差分放大器(SENSE +和SENSE - 输入),利用与LED串联的电阻感测LED电流,并在DIFF端产生放大后的感测电压,与内部0.6V参考电压进行比较,从而实现对LED电流的精确调节。
当内部LDO禁用(VCC连接到IN)时,可在4.75V至5.5V的输入电源范围内工作;当内部LDO启用时,输入电源电压范围为7V至28V。对于7V至28V的输入电压范围,内部LDO可提供稳定的5V输出,具有60mA的源电流能力。
具有180°相位延迟的时钟输出(CLKOUT),可用于控制第二个异相LED驱动器,减少输入和输出滤波电容器的尺寸,并最小化纹波电流。宽开关频率范围(125kHz至1.5MHz)允许使用小型电感器和电容器,进一步减小系统体积。
具备可编程过压保护和输出使能功能,能有效保护芯片和外部电路。当输出电压超过OVP阈值时,OVP会禁用芯片,防止外部电路受到过高电压的损害。在故障条件下,平均电流模式控制还能限制转换器的平均电流,确保系统的安全性和可靠性。
输入电压范围根据内部LDO的状态有所不同,静态电流在无开关操作时典型值为2.7mA,最大值为5.5mA。
不同型号的芯片在不同输入电压和开关频率下,具有不同的差分设定值,如MAX16821A在特定条件下为0.600V,MAX16821B为0.100V,MAX16821C为0.030V。
开关频率可通过连接到RT/SYNC的电阻进行编程,范围为125kHz至1500kHz。还支持与外部时钟同步,同步输入具有特定的高脉冲宽度、高阈值和低阈值等参数。
平均电流限制阈值为27.5mV,反向电流限制阈值为 - 2.0mV,逐周期电流限制阈值为60mV。
电流感测放大器具有34.5V/V的增益,输入失调电压典型值为0.1mV,共模范围为0至5.5V。其他放大器如差分放大器、电压误差放大器等也具有各自的特性参数,确保对LED电流和电压的精确控制。
当MODE连接到VCC时,可配置为同步升压转换器。在导通时间内,输入电压对电感充电;在关断时间内,电感向输出放电。输出电压不会低于输入电压,通过电阻R1感测电感电流,电阻R2感测LED电流,实现对LED电流的精确调节。
类似于升压转换器,但LED跨接在输出和输入之间,允许LED两端的电压大于或小于输入电压。由于LED电流感测不是以地为参考,因此使用高端电流感测放大器来测量电流。
SEPIC拓扑允许输出电压大于、等于或小于输入电压。在这种拓扑中,C3两端的电压与输入电压相同,L1和L2具有相同的电感。当Q1导通时,两个电感的电流以相同的速率上升;当Q1关断时,L1电流对C3充电,并与L2一起为C1充电并提供负载电流。
输入电压范围为7V至28V,由于基于地的电流感测电阻,输出电压可高达输入电压。同步MOSFET可将功耗降至最低,特别是在输入电压相对于LED串电压较大时。通过电阻R1感测电感电流,R2创建电压供差分放大器与0.6V进行比较,以调节LED电流。
输入电压同样为7V至28V,LED负载连接在正端与串联电感的电流感测电阻(R1)之间。通过高端电流感测放大器将电感电流感测电压传输到低端,实现对LED电流的调节。
电感的选择取决于开关频率、峰值电感电流和输出允许的纹波。较高的开关频率可降低电感要求,但会降低效率。在选择电感时,应考虑其饱和电流,确保大于最坏情况下的峰值电感电流。对于降压和连续升压模式拓扑,可使用特定公式计算最小电感值。
选择MOSFET时,需考虑总栅极电荷、导通电阻、功耗和封装热阻等因素。使用优化用于高频开关应用的MOSFET,可降低功耗。通过特定公式可估算高端和低端MOSFET的功率损耗。
输入电容器应使用低ESR陶瓷电容器,以减少由不连续输入电流波形引起的纹波电流。输出电容器的作用是将输出纹波降低到可接受的水平,其电容值可根据不同的拓扑结构使用相应公式计算。
在降压配置中,MAX16821A - MAX16821C可准确限制最大输出电流;在升压配置中,可准确限制最大输入电流。通过特定公式可计算电流感测电阻的值。
为避免次谐波振荡,需确保电流误差放大器(CEA)输出的增益基于特定公式进行限制。同时,应根据要求合理设置交叉频率和零极点位置,以保证足够的相位裕度。
虽然芯片本身没有单独的PWM输入,但通过简单的外部电路即可实现PWM调光功能。
芯片的功率耗散可通过输入电压和总VCC调节器输出电流的乘积计算。同时,可根据环境温度计算芯片的最大功率耗散。
合理的PCB布局对于确保芯片的性能和可靠性至关重要。应遵循一系列布局准则,如将旁路电容器靠近芯片放置、最小化高电流开关回路的面积和长度、使用单独的接地平面等。
MAX16821A/MAX16821B/MAX16821C系列芯片以其丰富的功能、卓越的性能和灵活的应用拓扑,为高功率同步HBLED驱动提供了全面的解决方案。在实际设计中,工程师们需要根据具体的应用需求,合理选择组件并进行优化设计,以充分发挥芯片的优势。大家在使用这些芯片进行设计时,是否遇到过一些独特的问题或挑战呢?欢迎在评论区分享交流。
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