CSD88539ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND

KANA 发表于 2018-11-02 18:36:06

描述

这款双路小外形尺寸（SO）-8,60V，23mΩNexFET功率MOSFET被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图R _θJA = 60°C /W，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸²，2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间≤300μs，占空比≤2％


VDS (V)
Logic Level
RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
QG Typ (nC)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
QGS Typ (nC)
QGD Typ (nC)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)

数据手册（1）