CSD13302W CSD13302W 12V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

KANA 发表于 2018-11-02 18:35:05

数据： CSD13302W 12V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

描述

这款14.6mΩ，12V N通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的1mm×1mm小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

特性

超低导通电阻
低Q _g和Q _{gd < /sub>}
1mm x 1mm小尺寸封装
低高度（高度为0.62mm）
无铅
符合RoHS环保标准
无卤素

应用范围

电池管理
负载开关
电池保护

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level

CSD13302W
12
Single
17.1
29
6
2.1
WLP 1.0x1.0
21.2
10
1
Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD13302W 12V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

收藏

相关话题

电源管理
+关注
功率MOSFET
+关注
Analog
+关注

文章来源栏目

电源管理IC 69人已加入

+加入圈子

评论(0)

加载更多评论

分享到

QQ空间 QQ好友微博

取消