数据: CSD87501L 30V 双路共漏极 N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款30V,6.6mΩ,3.37mm×1.47mm LGA双路NexFET功率MOSFET旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件尺寸小并采用共漏极配置,非常适合多节电池组应用和小型手持设备。
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