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这款63mΩ，12V N沟道FemtoFETMOSFET经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）的同时大幅减小封装尺寸。

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R _θJA = 90°C /W，这是一块厚度为0.06英寸（1.52mm）的环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 ² （6.45cm ² ），2盎司
（厚度0.071mm）铜焊盘上测得的典型值（覆铜面积最大时的典型值）.R _θJA = 255°C /W（脉铜持续时间≤100μs，占空比≤1％。