CSD25211W1015 P 通道 NexFET 功率 MOSFET

KANA 发表于 2018-11-02 18:34:06

数据： P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图R _θJA = 119°C /W，这是在厚度为0.06英寸的环氧板（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸² 2盎司铜过渡片上测得的典型值。脉宽≤10μs，占空比≤2％

特性

超低导通电阻
超低Q _g和Q _gd
小尺寸封装1.0mm x 1.5mm
低高度（高度为0.62mm）
无铅
栅 - 源电压钳位
栅极静电放电（ESD）保护-3kV
符合RoHS环保标准
无卤素

应用范围

电池管理
负载开关
电池保护

参数与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)

CSD25211W1015
-20
-6
Single
33
44
-9.5
-3.2
3.4
0.2
1.1
-0.8
WLP 1.0x1.5

技术文档

数据手册（1）

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

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