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在现代电子设备中,高效的电源管理至关重要。对于笔记本电脑、台式机和服务器等设备的 CPU 核心电源供应,单相同步 MOSFET 驱动器起着关键作用。今天,我们将深入探讨 Maxim Integrated 推出的 MAX8791/MAX8791B 单相同步 MOSFET 驱动器,了解其特性、应用以及设计要点。
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MAX8791/MAX8791B 是单相同步、非反相 MOSFET 驱动器,专为与 MAX8736 或 MAX8786 等控制器 IC 配合使用而设计,适用于多相笔记本 CPU 核心稳压器。它具有以下显著特点:
MAX8791/MAX8791B 的典型应用电路展示了其在实际应用中的连接方式。输入电压范围为 5V 至 24V,通过 PWM 信号控制驱动器输出,可实现对 MOSFET 的高效驱动。
在使用 MAX8791/MAX8791B 时,必须注意其绝对最大额定值,以确保器件的安全运行。例如,VDD 到 GND 的电压范围为 -0.3V 至 +6V,连续功率耗散在 (T_{A}=+70^{circ} C) 时为 1315mW(高于 +70°C 时需降额)。
详细的电气参数表提供了该驱动器在不同条件下的性能指标。例如,输入电压范围为 4.20V 至 5.50V,PWM 脉冲宽度的最小导通时间为 50ns,最小关断时间为 300ns。这些参数对于设计人员来说是非常重要的参考依据。
MAX8791/MAX8791B 的 DH 和 DL 驱动器针对中等大小的高端和较大的低端功率 MOSFET 进行了优化。通过两个自适应死区时间电路,监测 DH 和 DL 输出,防止对侧 FET 在另一侧完全关断之前导通,从而避免直通电流,提高转换器效率。
该驱动器采用自举电路为高端 n 沟道 MOSFET 提供必要的驱动电压。内部 p 沟道 MOSFET 形成理想二极管,在 VDD 和 BST 之间提供低电压降。升压电容值的选择根据高端 MOSFET 的总栅极电荷和允许的电压变化来确定。
当 SKIP 引脚被拉低时,MAX8791/MAX8791B 进入低功耗脉冲跳过模式。在轻载时,自动切换到脉冲频率调制(PFM),通过零交叉比较器在电感电流过零时截断低端开关的导通时间,提高轻载效率。
在选择功率 MOSFET 时,需要考虑多个因素。对于高端 MOSFET,要确保其能够在 (V{IN(MIN)}) 和 (V{IN(MAX)}) 下有效散热,理想情况下,两者的损耗应大致相等。对于低端 MOSFET,应选择导通电阻尽可能低、封装适中且价格合理的器件。
MOSFET 的功率损耗主要包括导通损耗和开关损耗。高端 MOSFET 的导通损耗在最小输入电压时达到最坏情况,开关损耗的计算较为复杂,需要考虑多个因素。低端 MOSFET 的导通损耗在最大输入电压时达到最坏情况。
IC 封装的功率损耗主要来自驱动 MOSFET,与开关频率和所选 MOSFET 的总栅极电荷有关。通过计算偏置电流和热阻,可以估算芯片的温度上升。
在高输入电压下,高端 MOSFET 的快速开启可能会导致低端 MOSFET 瞬间开启。为避免这种情况,应选择 (C{RSS} / C{ISS}) 比值较小的低端 MOSFET,并可通过在 BST 和 CBST 之间添加电阻或在高端 MOSFET 的栅极和源极之间添加电容来减缓高端 MOSFET 的开启速度。
合理的 PCB 布局对于 MAX8791/MAX8791B 的性能至关重要。应将所有去耦电容尽可能靠近 IC 引脚放置,最小化高电流环路的长度,提供足够的铜面积用于散热,并将 GND 引脚尽可能靠近低端 MOSFET 的源极连接。
MAX8791/MAX8791B 单相同步 MOSFET 驱动器以其高效、快速、灵活的特点,为多相笔记本 CPU 核心稳压器等应用提供了优秀的解决方案。在设计过程中,我们需要充分考虑其电气特性、工作原理和应用设计要点,以确保系统的稳定性和可靠性。你在使用类似驱动器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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