英诺赛科产品完成谷歌AI硬件平台导入 并签订供货协议

电子发烧友网报道 英诺赛科公布，公司旗下相关产品已完成了在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并签订了合规的供货协议。这再次彰显了公司在技术先进性、产品性能和质量等方面在氮化镓行业的领先地位。

 

基于当前的项目开发与客户对接进展，公司将聚焦于AI服务器、数据中心等高增长潜力领域，积极与产业链合作伙伴协作，合规地开展相关产品的商业化落地，满足市场及客户需求。

 

作为英伟达800V HVDC芯片端唯一的中国供应商，英诺赛科表示公司是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。这使英诺赛科成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商，从容应对未来架构为满足更高功率需求的演变。

 

在800V输入侧，英诺赛科氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%。

 

在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%。

 

与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800 VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。

 

基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，其动态响应得到提升，同时降低了电路板上的电容成本。