数据：
LinCMOS Programmable Low-Voltage Operational Amplifiers 数据表 
TLV2341运算放大器专为低压，单电源应用而开发，完全可在2 V至8的电压范围内工作V.该器件采用德州仪器（TI）硅栅极LinCMOS TM 技术，可实现低功耗，低电压工作和出色的失调电压稳定性。 LinCMOS TM 技术还可实现极高的输入阻抗和低偏置电流，从而实现与高阻抗源的直接接口。
TLV2341提供偏置选择功能，允许器件通过各种不同的电源电流进行编程，从而实现不同的交流电平。电源电流可设置为17 uA，250 uA或1.5 mA，从而使压摆率规格介于0.02和2.1 V /us（3 V）之间。
TLV2341运算放大器特别适用于单电源应用，具有3 V和5 V电源的完全规格和特性。这种低电压单电源操作与低功耗相结合，使该器件成为远程，难以接近或便携式电池供电应用的理想选择。共模输入范围包括负轨。
器件输入和输出设计用于承受-100 mA电流而不会出现闩锁现象。 TLV2341采用内部ESD保护电路，可在高达2000 V的电压下防止功能故障，符合MIL-STD 883 C，方法3015.2;但是，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
D包可用胶带和卷轴。将R后缀添加到器件类型（例如，TLV2341IDR）。
PW封装仅可用于左端录音和卷绕（例如，TLV2341IPWLE）。 < /p>
Typ 
Hz \通常在<小> LinCMOS是德州仪器公司的商标。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Features |
| Input Bias Current (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| TLV2341 | TLV2342 | TLV2344 |
|---|---|---|
| 1 | 2 | 4 |
| 2 | 2 | 2 |
| 8 | 8 | 8 |
| 0.32 | 0.32 | 0.32 |
| 3.6 | 3.6 | 3.6 |
| In to V- Out | In to V- Out | In to V- Out |
| 8 | 9 | 10 |
| 0.675 | 0.7 | 0.675 |
| 25 | 25 | 25 |
| Catalog | Catalog | Catalog |
| -40 to 85 | -40 to 85 | -40 to 85 |
| SOIC | PDIP SOIC TSSOP | PDIP |
| 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP) | See datasheet (PDIP) |
| 2.7 | 2.7 | 2.7 |
| N/A | N/A | N/A |
| 200 | 200 | 200 |
| 80 | 80 | 80 |
| 9 | 9 | 9 |
| CMOS | CMOS | CMOS |
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