TLC27M4B LinCMOS™ 精密四路运算放大器

TLC27M4和TLC27M9四通道运算放大器结合了多种输入失调电压等级，具有低失调电压漂移，高输入阻抗，低噪声和可比速度这些器件使用德州仪器公司的硅栅极LinCMOS ^TM

LinCMOS是德州仪器公司的商标。技术它提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。

极高的输入阻抗和低偏置电流使这些经济高效的器件非常适用于以前专为通用双极性产品预留但功耗仅为其一小部分的应用。

提供四种偏移电压等级（C后缀和I后缀类型），范围从低成本TLC27M4（10 mV）到高精度TLC27M9（900 uV）。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。

一般而言，LinCMOS ^TM 运算放大器可提供与双极技术相关的许多功能，而不会对双极技术造成功率损失。 TLC27M4和TLC27M9可轻松设计一般应用，如换能器接口，模拟计算，放大器模块，有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源供电和低功耗特性，非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA的浪涌电流，而不会出现闩锁现象。

TLC27M4和TLC27M9采用内部ESD保护电路，可防止电压高达2000 V时的功能故障，如MIL-STD-883C，方法3015所测试;但是，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 M后缀器件的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。

< th rowspan =“2”colspan =“2”> CHIP
FORM
（Y）（FK）
< td> TLC27M9CN
< td> -
< td> 2 mV

可用选项

T A	V IO max AT 25°C	PACKAGE
小概述 （D）	陶瓷DIP （J）	塑料DIP （N）< br>	TSSOP （PW）
0°C到70°C	900 uV	TLC27M9CD	-	-	-	-
2 mV < /td>	TLC27M4BCD	-	-	TLC27M4BCN	-
5 mV	TLC27M4ACD < /td>	-	-	TLC27M4ACN	-	-
10 mV	TLC27M4CD	-	-	T. LC27M4CN	TLC27M4CPW	TLC27M4Y
- 40°C至85°C	900 uV	TLC27M9ID	-	-	TLC27M9IN	-	-
TLC27M4BID	-	-	TLC27M4BIN	-	-
5 mV	TLC27M4AID	-	-	TLC27M4AIN	- -	-
10 mV	TLC27M4ID	-	-	TLC27M4IN	TLC27M41PW	- -
- 55°C至125°C	900 uV	TLC27M9MFK	TLC27M9MJ	TLC27M9MN	- < br>	-
10 mV	TLC27M4MD	TLC27M4MFK	TLC27M4MJ < /td>	TLC27M4MN	-	-

<小> D和PW封装可用胶带和卷轴。将R后缀添加到设备类型（例如，TL​​C279CDR）。