数据: LinCMOS Precision Dual Operational Amplifiers 数据表
TLC27L2和TLC27L7双运算放大器结合了多种输入失调电压等级,具有低失调电压漂移,高输入阻抗,极低功耗和高
这些器件使用的是德州仪器公司的硅栅LinCMOS ??该技术可提供远远超过传统金属栅极工艺稳定性的偏移电压稳定性。
极高的输入阻抗,低偏置电流和低功耗使这些经济高效的器件成为高增益的理想选择,低频,低功率应用。提供四种偏移电压等级(C后缀和I后缀类型),范围从低成本TLC27L2(10 mV)到高精度TLC27L7(500μV)。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。
一般情况下, LinCMOS提供了许多与双极技术相关的功能?运算放大器,没有双极技术的功率损失。 TLC27L2和TLC27L7可轻松设计一般应用,如换能器接口,模拟计算,放大器模块,有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源工作和超低功耗特性,非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
提供多种封装选项,包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。
器件输入和输出设计用于承受-100 mA的浪涌电流,而不会出现闩锁现象。
TLC27L2和TLC27L7内置ESD保护电路,可防止电压高达2000 V时出现功能故障在MIL-STD-883C,方法3015.2下测试;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
C-Suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 M-suffix器件的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
LinCMOS是德州仪器的商标。
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