TLC27M2 双路精密单电源低功耗运算放大器

KANA 发表于 2018-11-02 18:23:06

数据: LinCMOS

描述

TLC27M2和TLC27M7双运算放大器结合了多种输入失调电压等级,具有低失调电压漂移,高输入阻抗,低噪声和接近速度这些器件采用德州仪器公司的硅栅LinCMOS技术,该技术提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅工艺的稳定性。

极高的输入阻抗,低偏置电流和高压摆率使这些具有成本效益的器件非常适用于以前专为通用双极性产品预留的应用,但功耗仅为其一小部分。提供四种偏移电压等级(C后缀和I后缀类型),范围从低成本TLC27M2(10 mV)到高精度TLC27M7(500μV)。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。

一般情况下, LinCMOS运算放大器提供了与双极技术相关的许多功能,而没有双极技术的功率损失。 TLC27M2和TLC27M7可轻松设计一般应用,如换能器接口,模拟计算,放大器模块,有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源供电,非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项,包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。

器件输入和输出设计用于承受100 mA浪涌电流而不会出现闩锁现象。

TLC27M2和TLC27M7内置ESD保护电路,可防止电压高达2000 V时出现功能故障按照MIL-STD-883C,方法3015.2测试;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在40°C至85°C的温度范围内工作。 M后缀器件的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。

特性

  • 修整的偏移电压:
    • TLC27M7 ...在25°C时最大500μV,
      V DD = 5 V
  • 输入偏移电压漂移...通常为0.1μV/月,包括前30天
  • 超出规定温度范围的宽范围电源电压:
    • 0°C至70°C ... 3 V至16 V
    • ?? 40°C至85° C ... 4 V至16 V
    • ?? 55°C至125°C ... 4 V至16 V
  • 单 - 电源操作
  • 共模输入电压范围低于负轨(C-Suffix,I-Suffix类型)
  • 低噪声...通常为32 nV /< img src =“http://focus.ti.com/graphics/shared/symbols/lc/radic.gif”> Hz ,f = 1 kHz < /li>
  • 低功率......通常在25°C时为2.1 mW,V DD = 5 V
  • 输出电压范围包括负轨
  • 高输入阻抗... 10 12 Typ
  • < LI> ESD - 珀罗电路
  • 小型封装选项也可用于卷带
  • 设计闩锁抗扰度

LinCMOS是德州仪器公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TLC27M2 TLC27M4
2     4    
3     3    
16     16    
0.525     0.525    
0.46     0.46    
In to V-     In to V-    
10     10    
0.105     0.105    
32     32    
Catalog     Catalog    
-40 to 85
-55 to 125
0 to 70    
0 to 70
-40 to 85    
PDIP
SO
SOIC
TSSOP    
PDIP
SO
SOIC
TSSOP    
See datasheet (PDIP)
8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP)    
See datasheet (PDIP)
14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP)    
1.7     1.7    
N/A     N/A    
60     60    
91     91    
8     8    
CMOS     CMOS    

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