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在电子工程师的日常设计中,如何有效保护电源免受各种恶劣输入电压条件的影响,一直是一个关键问题。今天,我们就来深入探讨一款优秀的负载突降/反接电压保护电路——MAX16128/MAX16129。
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MAX16128/MAX16129专为保护电源免受输入电压异常状况的损害而设计,这些异常状况包括过压、反接电压以及高压瞬态脉冲等。它采用内置电荷泵,能够控制两个外部背对背n沟道MOSFET,在出现如汽车负载突降脉冲或电池反接等故障输入条件时,及时关闭并隔离下游电源,确保设备安全。而且,该器件能在低至3V的电压下正常工作,这对于应对汽车冷启动等情况非常重要。
这款器件的应用领域十分广泛,涵盖了汽车、工业、航空电子以及电信/服务器/网络等多个领域。在这些领域中,恶劣的工作环境对电子元件的保护要求极高,而MAX16128/MAX16129正好能够满足这一需求。
与分立解决方案相比,MAX16128/MAX16129 在反接电压保护方面具有极小的工作电压降,能够有效降低功耗。在 30V 输入时,其电源电流仅为 380µA,关断电流为 100µA。
该器件能够为系统级功能安全提供支持,确保设备在各种复杂环境下稳定可靠运行。
其工作输入电压范围为 3V 至 90V,保护范围更是达到了 -36V 至 +90V,能够适应各种极端的电压条件。
在不同的输入电压和工作模式下,电源电流有所不同。例如,在 12V 输入且 SHDN 为高电平时,输入电源电流为 260µA 至 360µA;在 30V 输入且 SHDN 为低电平时,输入电源电流为 64µA 至 100µA。
内部欠压阈值、过压阈值以及冷启动阈值等都有明确的规定,并且具有一定的迟滞特性,能够有效避免误触发。
在过压、欠压等情况下,GATE 输出的响应时间非常短,能够迅速做出反应,保护下游设备。例如,过压到 GATE 的传播延迟仅为 1µs。
通过一系列的典型工作特性曲线,我们可以更直观地了解该器件在不同条件下的性能表现。例如,电源电流与温度、电源电压之间的关系曲线,能够帮助工程师在不同的工作环境下合理选择器件参数。
该器件采用 8 引脚的 µMAX 封装,每个引脚都有其特定的功能。
通过内部比较器监测输入或输出电压,当检测到过压情况时,GATE 输出变为低电平,关闭外部 MOSFET,同时 FLAG 输出信号指示故障。
当输入电压低于欠压阈值时,GATE 输出变为低电平,关闭外部 MOSFET,同时 FLAG 输出信号指示故障。当输入电压超过欠压阈值后,经过 150µs 的延迟,GATE 会变为高电平。
该器件提供了两种处理冷启动故障的方式,具体取决于器件的后缀选项。一种是禁用冷启动比较器,在输入电压下降时,只要不低于欠压阈值,外部 MOSFET 就会保持开启;另一种是启用冷启动比较器,当输入电压低于冷启动阈值时,会通过拉低 GATE 关闭外部 MOSFET,避免因反向电流导致负载放电。
当内部芯片温度超过 145°C 时,热关断功能会自动启动,关闭 MOSFET。当温度下降 15°C 后,MOSFET 会重新开启。
该器件集成了反接电压保护功能,能够承受 -36V 的反向电压而不损坏自身和负载。在反接电压情况下,两个外部 n 沟道 MOSFET 会关闭,保护下游电路。
在汽车应用中,需要考虑各种电气瞬态情况,如负载突降、冷启动等。MAX16128/MAX16129 能够有效应对这些瞬态情况,确保设备的稳定运行。
选择合适的 MOSFET 对于设计一个有效的保护电路至关重要。需要考虑 MOSFET 的栅极电容、漏源电压额定值、导通电阻、峰值功率耗散能力以及平均功率耗散限制等因素。
为了进一步增加输入电压保护范围,可以采用两个背对背的齐纳二极管和一个串联电阻的电路结构。但需要注意计算串联电阻的峰值功率耗散,避免超过其额定值。
在输出端连接一个储能电容,可以在故障瞬态情况下为下游电路提供能量,确保设备的正常运行。
MAX16128/MAX16129 是一款功能强大、性能可靠的负载突降/反接电压保护电路。它在多个领域都有广泛的应用前景,能够为敏感电子元件提供有效的保护。在实际设计中,工程师需要根据具体的应用需求,合理选择器件参数,并注意一些应用细节,以充分发挥该器件的优势。大家在使用过程中有没有遇到过类似保护电路的设计难题呢?欢迎在评论区分享交流。
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