电子说
在电子设备的设计中,如何确保数据在电源故障时不丢失,以及有效监测电池状态,是工程师们常常面临的关键问题。MAXIM 的 DS1314 3V 非易失性控制器,集成了锂电池监测功能,为解决这些问题提供了一个出色的方案。
文件下载:DS1314.pdf
DS1314 能够将 CMOS SRAM 转换为非易失性内存。当 (V{CC}) 超出容差范围时,它会无条件地对 SRAM 进行写保护,防止数据丢失。同时,在 (V{CC}) 电源故障发生时,会自动切换到电池备份电源,确保 SRAM 持续供电。
该芯片可以监测锂电池的电压,并在电池即将失效时提前发出警告。通过低电平有效的电池警告输出信号 (BW),提示工程师及时更换电池。
支持 3.0V 或 3.3V 电源的自动 (V_{CC}) 电源故障检测。并且,DS1314S 和 DS1314E 版本在电源故障发生时可以复位处理器,并在系统上电期间保持处理器处于复位状态。
提供了节省空间的 8 引脚 DIP 和 SOIC 封装,还有可选的 16 引脚 SOIC 和 20 引脚 TSSOP 版本,满足不同应用场景的需求。
具备 -40°C 至 +85°C 的工业温度范围,适用于各种恶劣环境。
DS1314 不同封装的引脚分配各有特点,如 8 引脚 DIP、8 引脚 SOIC、16 引脚 SOIC 和 20 引脚 TSSOP 等。具体引脚排列在文档中有详细图示,工程师在设计时需要根据所选封装仔细核对。
DS1314 为 SRAM 提供电池备份功能,主要通过两个关键操作实现。
DS1314 以工厂编程的 24 小时时间间隔自动进行电池电压监测。在 (V{CCI}) 上升到 (V{CCTP}) 以上的 (t{Rec}) 时间内开始监测,电源故障时暂停。每 24 小时,将 (V{BAT}) 连接到内部 1.2MΩ 测试电阻 (R{INT}) 一秒钟。如果在此期间 (V{BAT}) 低于工厂编程的电池电压触发点 (V{BTP}),则电池警告输出 (BW) 被置位。此后,将以 (t{BTCW}) 为周期进行电池测试,直到电池被更换。
DS1314S 和 DS1314E 版本具有额外的复位引脚 (RST)。当 (V{CCI}) 低于由 (TOL) 引脚定义的触发点 (V{CCTP}) 时,比较器激活复位信号 (RST)。在电源上电时,(RST) 还作为上电复位信号,保持有效 200ms 左右,防止系统在电源瞬变期间运行。
当电池首次连接到未加电的 DS1314 时,芯片不会立即在 (V{CCO}) 上提供电池备份电源。只有在 (V{CCI}) 超过 (V{CCTP}) 并随后低于 (V{sw}) 和 (V_{BAT}) 时,才会离开新鲜密封模式,提供电池备份电源。这种模式可以避免电池在存储和运输过程中消耗能量。
在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,不同参数的推荐工作条件有所不同,如 (TOL=GND) 时,(V{CCI}) 为 3.0 - 3.6V;(TOL=V{CCO}) 时,(V_{CCI}) 为 2.7 - 3.3V 等。
文档中详细列出了各种电气特性参数,如工作电流、RAM 供电电流、(V_{CC}) 触发点、传播延迟、测试周期等。工程师在设计时需要根据具体应用需求,合理选择和参考这些参数。
提供了不同封装和温度范围的订购选项,如 DS1314+(-40°C 至 +85°C,8 PDIP)等。其中“+”表示无铅/符合 RoHS 标准的封装。
数据手册的多次修订记录了产品参数和测试条件的变化,如 (V{BAT}) 最大值的更改、(t{PD}) 的调整、输入输出电容的明确等。工程师在使用时需要关注最新版本的数据手册,确保设计的准确性。
MAXIM DS1314 为电子工程师提供了一个可靠的非易失性内存控制和锂电池监测解决方案。在实际设计中,工程师需要深入理解其特性、引脚功能、工作原理和电气参数,结合具体应用场景进行合理选择和优化。你在使用类似芯片时遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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