电子说
在电子设备的设计中,精确的温度监测至关重要,尤其是在对温度敏感和辐射环境严苛的应用场景中。TMP9R01 - SEP 数字温度传感器凭借其卓越的性能,成为这类应用的理想之选。本文将深入探讨 TMP9R01 - SEP 的特性、应用及设计要点。
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TMP9R01 - SEP 在辐射环境下表现出色。它的总电离剂量(TID)特性高达 50krad(Si),TID RHA/RLAT 保证可达 30krad(Si)。在 125°C 时,单粒子锁定(SEL)免疫 LET 为 (43 MeV × cm^{2} / mg),单粒子效应(SEE)和单粒子功能中断(SEFI)特性也达到 (43 MeV × cm^{2} / mg)。这使得它能在太空等辐射环境中稳定工作。
传感器具备 12 位分辨率,分辨率为 0.0625°C(LSB)。本地(片上)温度精度最大为 ±2.0°C,远程结温度精度最大为 ±1.5°C,远程温度范围测试可达 –64°C 至 191°C,能满足多种高精度温度测量需求。
它集成了校准和保护功能,如 η 因子和偏移校正、串联电阻消除、远程 BJT/二极管故障检测以及可编程数字滤波器。这些功能提高了测量的准确性和稳定性,减少了外部元件的使用。
工作电压范围为 1.7V 至 3.6V,I/O 电压支持 1.8V、2.5V 和 3.3V。待机/关机电流分别为 15μA/3μA,功耗较低。同时,它采用了空间增强塑料(Space EP)封装,符合 NASA 的 ASTM E595 脱气规范,工作温度范围为 -55°C 至 125°C。
采用 VSSOP - 10 封装,尺寸仅为 4.9mm × 3.0mm,节省了电路板空间,适用于对空间要求较高的设计。
TMP9R01 - SEP 适用于多种对温度测量精度和辐射耐受性要求较高的应用场景:
TMP9R01 - SEP 集成了 12 位 ADC、偏置电流和片上校准电路。通过向外部 BJT 晶体管或 FPGA、ADC、ASIC 中的二极管/结施加偏置电流,数字化产生的 (Delta V_{BE}),并以 0.0625°C 的温度分辨率直接报告。片上的第二个传感器用于测量本地温度。
TMP9R01 - SEP 数字温度传感器以其辐射耐受、高精度、低功耗和集成特性等优势,为太空和其他高可靠性应用提供了可靠的温度测量解决方案。在设计过程中,合理选择晶体管、优化布局和正确配置寄存器,能充分发挥其性能,确保系统的稳定性和可靠性。各位电子工程师在实际应用中,不妨根据具体需求深入挖掘其潜力,并在评论区分享你的使用经验和遇到的问题。
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