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在电子工程师的日常工作中,为高电压、高瞬态系统选择合适的过压保护与检测电路至关重要。今天,我们就来深入了解一下Analog Devices推出的MAX16010 - MAX16014系列超小型、低功耗过压保护电路,看看它能为我们的设计带来哪些惊喜。
文件下载:MAX16013.pdf
MAX16010 - MAX16014系列专为电信、工业等领域的高电压、高瞬态系统设计,同时也适用于电池组、笔记本电脑和服务器等应用。该系列器件的供电电压范围极宽,从5.5V到72V,这使得它们在不同的电源环境下都能稳定工作。
MAX16010和MAX16011采用小型8引脚TDFN封装,MAX16012 - MAX16014则采用小型6引脚TDFN封装。这些器件的工作温度范围为 - 40°C至 + 125°C,能适应较为恶劣的环境。
5.5V到72V的供电电压范围,让MAX16010 - MAX16014能够在多种电源系统中使用,大大提高了其适用性。这对于需要应对不同电源规格的应用来说,无疑是一个重要的优势。
开漏输出最高可达72V(MAX16010/MAX16011/MAX16012),提供了更大的灵活性,方便与其他电路进行连接和匹配。
最大2μs的传播延迟,确保了在过压或欠压情况发生时,电路能够迅速做出响应,及时保护系统免受损害。
内部欠压锁定功能可以在供电电压过低时,使电路进入安全状态,避免因电压不足导致的不稳定或损坏。
MAX16014在过压情况发生后,能使P沟道MOSFET锁定关闭,直到输入电源循环,进一步增强了对系统的保护。
可调过压阈值功能允许工程师根据具体应用需求,灵活设置过压保护的触发点,提高了电路的适应性和可靠性。
3mm x 3mm的TDFN封装,节省了电路板空间,对于对尺寸要求较高的设计来说非常友好。
在不同的供电电压下,输入电源电流有所不同。例如,当VCC = 12V且无负载时,输入电源电流典型值为30μA;当VCC = 48V时,典型值为25μA,最大值为40μA。了解这些参数有助于我们在设计时合理规划电源功耗。
INA+/INB-/SET阈值电压具有一定的范围,并且不同的迟滞选项(0.5%、5%、7.5%)会影响阈值的具体数值。在实际应用中,我们可以根据需要选择合适的迟滞选项,以提高电路的抗干扰能力。
启动响应时间(tSTART)在VCC从0上升到5.5V时,最大为100μs;IN_到OUT/SET到GATE2的传播延迟(tPROP)在无负载情况下最大为2μs。快速的响应时间确保了电路能够及时对电压变化做出反应,保护系统安全。
MAX16010/MAX16011可用于窗口检测,通过计算电阻值(R1 - R3)来确定上下限阈值。具体计算公式如下: [V{TRIPLOW }=V{TH-}left(frac{R{TOTAL }}{R 2+R 3}right)] [V{TRIPHIGH }=V{TH+}left(frac{R{TOTAL }}{R 3}right)] 其中RTOTAL = R1 + R2 + R3。在实际设计中,我们可以按照以下步骤确定R1 - R3的值:
MAX16013/MAX16014可配置为过压开关控制器或过压限制器。在过压发生时,内部快速比较器会关闭外部P沟道MOSFET(P2),断开电源与负载的连接。当监测电压低于调整后的过压阈值时,MAX16013会重新连接负载;MAX16014则需要通过切换ENABLE来重新连接负载。在过压限制器模式下,MAX16013会驱动外部P沟道MOSFET(P2),使其作为电压调节器工作,将输出电压调节在约5%的窗口内。
为了减少过压时电源路径中杂散电感引起的电压振铃对电路的影响,我们可以采取以下措施:
MAX16013和MAX16014内置的高电压GATE1驱动电路,允许我们用低电压降的MOSFET替代高电压降的串联二极管。在选择MOSFET时,要注意其VGS绝对最大额定值,确保在正常和高电池电压应用或瞬态情况下,MOSFET的栅 - 源结不会过压。在反电池应用中,GATE1会将P1关闭,保护电路不受反电池电压的影响。在过压情况下,P2可以完全关闭或进行开 - 关循环,以保护负载。但在长时间过压事件中,由于P2的功耗较大,可能会导致温度迅速升高,因此需要适当的散热措施。
当GATE1输入为高电平时,可能需要从VCC到GATE1添加一个外部电阻,以提供足够的上拉能力。GATE_输出的源电流最大为1μA,如果源电流小于1μA,则可能不需要外部电阻。但为了提高GATE_输出为高电平时的上拉能力,可在VCC和GATE_之间连接一个外部电阻。例如,在应用中使用一个2MΩ的电阻,既不会影响GATE_在正常操作时的灌电流能力,又能在过压事件中提供足够的上拉。
MAX16010 - MAX16014系列超小型过压保护与检测电路凭借其宽供电电压范围、快速响应时间、可调阈值等特性,为电子工程师在高电压、高瞬态系统设计中提供了一个优秀的选择。在实际应用中,我们需要根据具体的设计需求,合理选择型号和配置参数,并注意MOSFET的选择、输入瞬态钳位和外部上拉电阻的添加等设计要点,以确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用这个系列的器件时,有没有遇到什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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